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기초 기판 상에 나노로드를 성장시키는 단계;상기 나노로드의 배향을 재정립시키는 단계; 및상기 배향이 재정립된 나노로드 상에 질화물 단결정층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노로드 성장 및 배향 재정립은 동일 장비 내에서 실시되며, 상기 나노로드의 방향 재정립은 상기 나노로드의 성장 온도보다 낮은 온도에서 실시하는 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기초 기판은 c면 사파이어 기판을 포함하는 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 나노로드를 성장시키기 이전에 상기 기초 기판의 표면을 질화 처리하는 단계를 더 포함하는 기판 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 나노로드는 상기 기초 기판의 질화 처리 온도보다 낮은 온도에서 성장되는 기판 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 나노로드는 450℃ 내지 750℃의 온도에서 성장되는 기판 제조 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 나노로드는 003c#101003e# 방향으로 배향이 재정립되는 기판 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 나노로드의 배향 재정립은 25℃ 내지 50℃의 온도에서 실시하는 기판 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 질화물 단결정층은 003c#101003e# 방향으로 성장되는 기판 제조 방법
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 질화물 단결정층을 형성한 후 상기 기초 기판을 분리하고 상기 질화물 단결정층의 상기 나노로드가 형성된 면을 연마하는 단계를 더 포함하는 기판 제조 방법
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기초 기판 상에 나노로드를 성장시키고 상기 나노로드의 배향을 재정립시킨 후 상기 나노로드 상에 질화물 단결정층을 형성하여 기판을 제조하는 단계;상기 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 적층 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 반도체층 상에 제 1 및 제 2 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노로드 성장 및 배향 재정립은 동일 장비 내에서 실시되며, 상기 나노로드의 배향 재정립은 상기 나노로드의 성장 온도보다 낮은 온도에서 실시되는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 질화물 단결정층을 형성한 후 상기 기초 기판을 분리하고 상기 질화물 단결정층의 상기 나노로드가 형성된 면을 연마하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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청구항 11 또는 청구항 12에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극을 형성하기 이전에 상기 제 2 반도체층 상의 상기 제 2 전극이 형성될 영역에 전류 차단층을 형성하는 단계와, 상기 전류 차단층을 포함한 상기 제 2 반도체층 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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