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제1 도전성 타입의 기판;상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층;상기 에미터층 위에 위치하는 패시베이션층;상기 패시베이션층 위에 위치하는 반사방지막;상기 에미터 위에 위치하며, 상기 에미터와 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 기판의 후면에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 패시베이션층은 Al2O3막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 패시베이션층은 10㎚ 내지 30㎚의 두께를 갖는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 에미터층은 미세 요철이 형성된 텍스처링 표면을 구비하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 반사방지막은 SiNx으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 도전성 타입의 기판을 준비하고,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하고,상기 에미터층 위에 위치하는 Al2O3막으로 이루어진 패시베이션층을 형성하고,상기 패시베이션층 위에 위치하는 반사방지막을 형성하고,상기 에미터 위에 위치하며, 상기 에미터와 전기적으로 연결되는 제1 전극을 형성하고, 및상기 기판의 후면에 위치하는 제2 전극을 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 패시베이션층은 10㎚ 내지 30㎚의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 에미터층은 미세 요철이 형성된 텍스처링 표면을 구비하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 반사방지막은 SiNx으로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 패시베이션층은 원자층증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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