요약 | 본 발명에서는 기판과 이의 상부에 차례로 적층된 하부전극 및 Cu(In1-xGax)Se2(이하, "CIGS") 조성의 광전변환층을 포함하는 CIGS 태양전지에 있어서, 상기 하부전극은 Ni, Au, Pt 및 Pd 중에서 선택된 하나 이상의 조성을 갖는 단일층으로 되거나, 또는 상기 하부전극은 복수층으로 되고 상기 복수층 각층은 상호 상이하게 되도록 Ni, Mo, Au, Pt 및 Pd 중에서 하나 이상 선택된 조성을 갖는 CIGS 태양전지가 개시된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01) |
CPC | H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) H01L 31/022441(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100115342 (2010.11.19) |
출원인 | 한국세라믹기술원 |
등록번호/일자 | 10-1160487-0000 (2012.06.21) |
공개번호/일자 | 10-2012-0054127 (2012.05.30) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120703) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.11.19) |
심사청구항수 | 11 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국세라믹기술원 | 대한민국 | 경상남도 진주시 소호로 *** |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 신효순 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 여동훈 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
3 | 홍연우 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
4 | 김종희 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
5 | 구신일 | 대한민국 | 충청북도 제천시 내 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이두희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 한신인터밸리** 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소) |
2 | 이훈 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국세라믹기술원 | 경상남도 진주시 소호로 *** |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0756147-16 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0555041-42 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0940063-20 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0940134-74 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0166981-55 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000353-25 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5040685-78 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 삭제 |
2 |
2 기판과 이의 상부에 차례로 적층된 하부전극 및 Cu(In1-xGax)Se2(이하, "CIGS") 조성의 광전변환층을 포함하는 CIGS 태양전지에 있어서,상기 하부전극은 복수층으로 되고 상기 복수층 각층은 Ni, Mo, Au, Pt 및 Pd로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되어 상호 상이한 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지 |
3 |
3 제2항에 있어서,상기 하부전극은 상기 광전변환층의 저면에 접하는 제2하부전극층 및 이 제2하부전극층의 저면에 접하는 제1하부전극층으로 이루어진 2개층으로 되고, 상기 제2하부전극층의 조성은 Mo이고 상기 제1하부전극층의 조성은 Ni인 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 복수층 각층의 두께는 100㎚~4㎛로 되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지 |
6 |
6 기판과 이의 상부에 차례로 적층된 하부전극 및 CIGS 조성의 광전변환층을 포함하고, 상기 하부전극은 Ni, Mo, Au, Pt 및 Pd로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 조성을 갖는 단일층, 또는 상기 군에서 하나 이상 선택되어 각각 상호 상이한 조성을 갖는 복수층으로 된 CIGS 태양전지에 있어서,기판상에 상기 하부전극을 형성하는 단계와;상기 하부전극 상에 상기 CIGS 조성의 후막을 형성하고 이를 소결하여 상기 광전변환층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
7 |
7 제6항에 있어서,상기 하부전극은 스퍼터, 진공증발법, 화학기상법, 원자층증착법, 이온빔증착법, 스크린 프린팅, 스프레이 딥코팅, 테이프캐스팅 및 잉크젯 중의 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
8 |
8 제6항에 있어서,상기 CIGS 조성의 분말은 10㎚~10㎛ 범위의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
9 |
9 제6항에 있어서,상기 CIGS 조성은 CuInSe2, CuInxGa1-xSe2, CuGaSe2, CuInS2, CuInxGa1-xS2, CuGaS2, CuAgSe2 및 CuInxAs1-xGa2로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
10 |
10 제6항에 있어서,상기 CIGS 조성의 후막 형성은 스크린 프린팅, 테이프캐스팅, 딥코팅 및 잉크젯 중의 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
11 |
11 제6항에 있어서,상기 소결 온도는 700~1100℃로 되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
12 |
12 제6항에 있어서,상기 소결은 Se 분위기로 되는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
13 |
13 제12항에 있어서,상기 분위기는 수소 및 질소 중의 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1160487-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20101119 출원 번호 : 1020100115342 공고 연월일 : 20120703 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120322 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 후막형 CIGS 태양전지 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170622 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2012년 06월 21일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2015년 06월 08일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 197,400 원 | 2016년 06월 01일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0756147-16 |
2 | 의견제출통지서 | 2011.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0555041-42 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0940063-20 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0940134-74 |
5 | 등록결정서 | 2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0166981-55 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000353-25 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5040685-78 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1415095753 |
---|---|
세부과제번호 | kicet2008 |
연구과제명 | 요업기술원 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 요업기술원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200801~200812 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 |
과제고유번호 | 1415102375 |
---|---|
세부과제번호 | kicet2009 |
연구과제명 | 한국세라믹기술원 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 한국세라믹기술원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200901~200912 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 기타 |
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