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In4Se3를 기본 결정구조로 하며, 상기 결정구조에서 Se 사이트의 일부에 Te가 치환되어 있고, In의 몰수가 4이고 Se와 Te의 전체 몰수가 3과 같거나 작은 값을 가져 화학양론적으로 Se와 Te의 결핍 정도의 조절을 통해 셀프 도핑 효과와 격자 왜곡이 구현되는 것을 특징으로 하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체
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제1항에 있어서, 상기 Se와 Te의 전체 몰수는 2와 같거나 크고 3보다 작은 것을 특징으로 하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체
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제1항에 있어서, 상기 열전반도체는 In4(Se1-xTex)3-δ(여기서, x는 실수이고 0＜x≤0
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제1항에 있어서, 상기 열전반도체는 In4(Se1-xTex)3-δ(여기서, x는 실수이고 0＜x≤0
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제1항에 있어서, 상기 열전반도체는 열전성능지수가 0
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열전반도체를 제조하는 방법에 있어서,In의 몰수와 Se와 Te의 전체 몰수가 4:3-δ(여기서, δ은 실수이고 0≤δ≤1)의 비율을 이루게 In 분말, Se 분말 및 Te 분말을 혼합하여 출발원료를 준비하는 단계; 및상기 출발원료를 진공 상태에서 가열하여 용해하는 단계를 포함하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 Se 분말과 상기 Te 분말은 1-x:x(여기서, x는 실수이고 0＜x≤0
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제6항에 있어서, 상기 Se 분말과 상기 Te 분말은 1-x:x(여기서, x는 실수이고 0＜x≤0
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제6항에 있어서, 상기 열전반도체는, N형 열전반도체로서 In4Se3를 기본 결정구조로 하며, 상기 결정구조에서 Se 사이트의 일부에 Te가 치환되고, In의 몰수가 4이며 Se와 Te의 전체 몰수가 3과 같거나 작은 값을 가지게 조절하여 화학양론적으로 Se와 Te의 결핍 정도의 조절을 통해 셀프 도핑 효과와 격자 왜곡이 구현되는 것을 특징으로 하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체의 제조방법
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10
제6항에 있어서, 상기 용해하는 단계 후에 2차상을 제거하기 위하여 450～600℃의 제1 온도에서 제1 열처리하는 단계를 더 포함하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제1 열처리하는 단계 후에 상기 제1 온도 보다 낮은 제2 온도에서 제2 열처리하는 단계를 더 포함하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 용해하는 단계 후에, 잉곳 형태의 열전반도체를 분쇄하여 분말을 형성하는 단계; 및상기 분말을 400～600℃의 온도에서 소결하는 단계를 더 포함하는 인듐-셀레늄-텔루륨계 열전반도체의 제조방법
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