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비스무스가 도핑된 규화마그네슘 열전재료용 조성물 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189047
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비스무스가 도핑된 규화마그네슘 열전재료용 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Mg와 Si 및 Bi를 각각 칭량하여 혼합하거나, 또는 Mg2Si와 Bi를 각각 칭량하여 혼합함으로써, Bi가 첨가된 Mg2Si 제조용 혼합물을 제조하는 단계; 및 상기 혼합물을 진공중에서 열처리하여 합성하는 단계;를 포함하되, 상기 Mg와 Si 및 Bi를 각각 칭량하여 혼합하는 경우에는 Mg와 Si가 결합하는 Mg2Si가 기지(matrix)가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 비스무스가 첨가된 규화마그네슘 열전조성물의 제조방법을 제공한다.이상과 같은 본 발명에 따르면, Mg2Si의 입자내에서 뿐 아니라 Mg2Si간 입계상에 Mg2Si보다 전기에 대한 저항값이 낮은 Bi2Mg3가 생성되도록 함으로써 입계상에서의 캐리어 산란도와 전도도를 제어하여 전기전도도를 향상시키고, 출력인자를 제어하며, 무차원의 figure-of-merit를 도출할 수 있는 비스무스가 첨가된 규화마그네슘 열전조성물을 제조할 수 있으며, 이로부터 열전성능이 향상된 열전체의 상용화가 가능할 것이다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01) C01B 33/06 (2006.01)
CPC C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01) C01B 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020110043290 (2011.05.09)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1322779-0000 (2013.10.22)
공개번호/일자 10-2012-0125697 (2012.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최순목 대한민국 서울특별시 서초구
2 서원선 대한민국 서울시 영등포구
3 김선욱 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0339644-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014710-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0199018-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0338240-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0338239-28
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0338307-35
8 등록결정서
Decision to grant
2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0520724-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Mg와 Si 및 Bi를 각각 칭량하여 혼합함으로써, Bi가 첨가된 Mg2Si 제조용 혼합물을 제조하는 단계; 및상기 혼합물을 진공중에서 열처리하여 합성하는 단계;를 포함하되, 상기 Mg와 Si 및 Bi를 각각 칭량하여 혼합하는 경우에는 Mg와 Si가 결합하는 Mg2Si가 기지(matrix)가 되도록 하며, 상기 Bi가 첨가된 Mg2Si는 Mg2Si와 Bi2Mg3을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비스무스가 첨가된 규화마그네슘 열전조성물의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 Mg, Si 및 Bi 전체 원자%를 100으로 할 때, Bi는 0
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Bi2Mg3가 Mg2Si 입계 및 Mg2Si 입자내에서 전도성을 나타냄으로써 전기전도도가 제어되는 것을 특징으로 하는 비스무스가 첨가된 규화마그네슘 열전조성물의 제조방법
5 5
제 1 항에서와 같은 방법에 의해 합성되어 figure-of-merit가 향상된 것을 특징으로 하는 비스무스가 첨가된 규화마그네슘 열전조성물
6 6
제 1 항에서와 같은 방법에 의해 합성된 열전 조성물을 1000 ~ 1200K의 온도범위에서 소결함으로써 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국세라믹기술원 에너지 자원기술개발사업 중고온용 코발트/아연 화합물 열전소재 및 모듈화 기술개발