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은(Ag) 분말의 표면에 알루미늄 분말 및 유리 프릿이 코팅되어 형성되는 코어쉘(core-shell) 구조의 전극 분말, 바인더 및 용매를 포함하며,상기 알루미늄 분말은 상기 은 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 분말은 상기 은 분말의 전체 중량 대비 1 내지 7wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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제 1 항에 있어서,상기 유리 프릿은 상기 은 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극 페이스트
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반도체 기판을 준비하는 반도체 기판 준비 단계;상기 반도체 기판의 전면에 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계;상기 에미터층에 반사 방지층을 형성하는 반사 방지층 형성 단계;상기 반사 방지층에 상기 반도체 기판의 일부가 노출되도록 형성되는 트렌치에 전극 페이스트를 도포하여 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계; 및 상기 반도체 기판의 후면에 후면 전극을 형성하는 후면전극 형성 단계를 포함하고,상기 전극 페이스트는 은(Ag) 분말의 표면에 알루미늄 분말 및 유리 프릿이 코팅되어 형성되는 코어쉘 구조의 전극 분말, 바인더 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 알루미늄 분말은 상기 은 분말의 전체 중량 대비 1 내지 7wt%인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 알루미늄 분말은 상기 은 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 유리 프릿은 상기 은 분말보다 크기가 작은 나노 입자로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전면전극 형성 단계는 상기 알루미늄 분말이 상기 전면 전극의 하부에서 반도체 기판으로 확산되어, 상기 전면 전극과 상기 반도체 기판 사이에 선택적 에미터층이 형성되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 선택적 에미터층은 상기 에미터층에 형성되며, 상기 에미터층보다 상대적으로 도펀트의 도핑농도가 높은 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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