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3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015189059
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 표면이 3차원의 곡면을 이루는 기재의 표면에 소수성을 부여하는 단계; 상기 소수성이 부여된 기재의 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트가 코팅된 기재의 표면에 패턴화된 마스크를 부착하거나 이격하여 마스킹 하는 단계; 상기 기재의 길이방향을 관통하는 가상의 선을 축으로 하여 회전하면서 상기 기재를 노광하는 단계; 및 상기 노광되거나 노광되지 않은 포토레지스트를 제거하고 에칭하는 단계;를 포함하여 구성되는 3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법 및 형성장치를 제공한다.이상과 같은 본 발명에 따르면, 통상 2차원 평면상에 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정을 3차원의 곡면 표면을 갖는 기재상에서도 가능하도록 함으로써 임플란트와 같은 실린더 타입의 구조물에도 패턴을 직접 형성하는 것이 가능하며, 임플란트와 같은 실린더 타입의 구조물에도 패턴을 형성하는 것이 가능하도록 함으로써, 임플란트를 완제품으로 제조하고, 패턴을 형성할 수 있도록 하여, 패턴 형성 공정을 용이하고 간이하게 수행할 수 있다.
Int. CL G03F 7/26 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) G03F 7/16 (2006.01)
CPC A61C 8/0018(2013.01) A61C 8/0018(2013.01) A61C 8/0018(2013.01) A61C 8/0018(2013.01) A61C 8/0018(2013.01) A61C 8/0018(2013.01)
출원번호/일자 1020110094457 (2011.09.20)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1346606-0000 (2013.12.24)
공개번호/일자 10-2013-0030885 (2013.03.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명현 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서원선 대한민국 서울특별시 강남구
3 강종호 대한민국 서울특별시 금천구
4 오남식 대한민국 서울특별시 양천구
5 이석원 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0729547-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087517-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0249312-45
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520579-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0631199-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0631197-49
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0826649-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.29 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2013-1094004-84
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-1094002-93
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1132062-03
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866894-45
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866923-82
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.12.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1146460-33
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0887132-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면이 3차원의 곡면을 이루는 기재의 표면에 소수성을 부여하는 단계;상기 소수성이 부여된 기재의 표면에 포토레지스트를 코팅하는 단계;상기 포토레지스트가 코팅된 기재의 표면에 패턴화된 마스크를 부착하거나 이격하여 마스킹 하는 단계;상기 기재의 길이방향을 관통하는 가상의 선을 축으로 하여 회전하면서 상기 기재를 노광하는 단계; 및상기 노광되거나 노광되지 않은 포토레지스트를 제거하고 에칭하는 단계;를 포함하여 구성되며,상기 포토레지스트는 포토레지스트와 희석액의 비율이 1 : 1 ~ 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 회전체인 것을 특징으로 하는 3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소수성을 부여하는 단계는, 헥사메틸다이실라잔(HMDS,Hexamethyldisilazane),테트라메틸디실라잔(TMDS,Tetramethyldisilazane),비스디메틸아미노메틸실란(Bis(Dimethylamino)Methylvinylsilane),디메틸아미노펜타메틸디실란 (Dimethylaminopentamethyldisilane) 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 상기 기재의 표면에 가하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트에는 아세톤, PGMEA, 부틸 아코올(Butyl acetate), 에틸 락테트 (Ethyl latate) 중에서 선택되는 어느 하나를 성분으로 포함하는 희석액이 첨가되는 것을 특징으로 하는 3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 노광 후에는 현상액에 30초 ~ 2분의 범위에서 침액하여 감광제를 식각하는 것을 특징으로 하는 3차원의 곡면 표면을 갖는 임플란트용 기재상의 패턴 형성방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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