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청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물(인듐-아연-주석 산화물)의 나노 분말 합성 방법

  • 기술번호 : KST2015189062
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 부탄올과 인듐아세테이트, 아연아세테이트 그리고 주석아세테이트를 반응시켜 인듐산화물에 아연산화물과 주석산화물이 18~ 28.7중량% 고용된 단일 결정상 빅스바이트로 이루어진 인듐산화물을 생성하는 청정공정으로 나노크기 분말을 합성하는 방법과 상기 뭉쳐져 있는 인듐 산화물 분말을 분산제를 이용 분산시킨 후 산소 가압하여 현재의 소결온도 1550℃ 또는 1500℃보다 낮은 1350℃에서 인듐 산화물 타겟을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐 산화물 타겟의 경우 청정공정으로 폐수의 배출이 없게 되었고, 또한 현재 상용 아이티오의 소성보다 150~200℃ 낮은 온도에서 소성이 가능하므로 에너지가 절감될 뿐만 아니라 상대밀도 99.7%의 고밀도 타겟을 제조할 수 있고, 비저항이 5x10-4Ωㆍ㎝으로 전기적 성능도 현 아이티오와 대등한 값을 얻을 수 있었다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01)
출원번호/일자 1020110117275 (2011.11.11)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1429042-0000 (2014.08.05)
공개번호/일자 10-2013-0052066 (2013.05.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병현 대한민국 경기도 광명시 철산로 **,
2 지미정 대한민국 경기도 광명시 하안로 ***
3 안용관 대한민국 경기도 부천시 오정구
4 김은경 대한민국 인천광역시 연수구
5 최진훈 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황성택 대한민국 서울특별시 구로구 경인로**길 **, 가동 ****호 노송특허법률사무소 (구로동, 중앙유통단지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0890441-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5144558-80
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038003-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0406019-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0644665-10
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0894051-85
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0172665-51
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0172668-98
11 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0242231-25
12 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345764-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
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부탄올과 인듐아세테이트, 아연아세테이트 그리고 주석아세테이트를 반응시킨 청정공정으로, 인듐산화물에 아연산화물과 주석산화물이 18~ 28
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제 1 항에 있어서,청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물 나노 분말의 뭉침 현상을 분산제인 도데실라민, 도데실라민+하이드록실프로필셀룰로오즈, 도데실라민+폴리에틸렐그리콘, 암모늄 폴리메타아크릴레이트 중 어느 하나를 사용하여 분산시키는 청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물(인듐-아연-주석 산화물)의 나노 분말 합성 방법
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제 2 항에 있어서,청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물 나노분말에 분산제를 넣어 분산된 슬러리에 결합제, 이형제를 혼합하여 슬러리를 만들고,슬러리를 분무 건조하여 과립으로 제조하며,과립을 1차 일축성형한 후, 2차 등가압 성형하여 타겟 성형체를 제조하고,성형체를 가압 산소분위기로에서 1350℃에서 4시간 소성하여 제조하는 것을 특징으로 하는 청정공정 이용 아연과 주석이 인듐에 고용된 인듐산화물(인듐-아연-주석 산화물)의 나노 분말 합성 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.