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태양전지용 광전변환막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189071
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 태양전지용 광전변환막의 제조방법은 Cu(In1-xGax)Se2(이하, "CIGS") 분말로 되는 CIGS 후막을 형성하는 단계와, 상기 CIGS 후막을 1차 열처리하는 단계와, 상기 1차 열처리한 CIGS 후막을 CIGS원 용액에 함침 및 건조하는 단계와, 상기 함침 및 건조된 CIGS 후막을 2차 열처리하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 1차 열처리는 600℃ 이하의 온도에서 Se 분위기로 행해질 수 있고 상기 2차 열처리는 100~600℃의 온도에서 행해질 수 있어, 600℃ 이하로 저온소결됨으로써 Se 분위기 소결이 용이하고 Mo 전극과 Se 간의 반응이 방지된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01)
출원번호/일자 1020110055909 (2011.06.10)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1194696-0000 (2012.10.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.10)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신효순 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 여동훈 대한민국 서울특별시 송파구
3 구신일 대한민국 충청북도 제천시 내

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 한신인터밸리** 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)
2 이훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0435984-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0029923-00
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0421348-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
태양전지용 광전변환막의 제조방법에 있어서,Cu(In1-xGax)Se2(이하, "CIGS") 분말로 되는 CIGS 후막을 형성하는 단계와;상기 CIGS 후막을 1차 열처리하는 단계와;상기 1차 열처리한 CIGS 후막을 CIGS원 용액에 함침 및 건조하는 단계와;상기 함침 및 건조된 CIGS 후막을 2차 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 1차 열처리의 온도는 600℃ 이하로 되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 1차 열처리는 Se 분위기로 행해지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 2차 열처리의 온도는 100~600℃로 되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 2차 열처리는 0
6 6
제1항에 있어서,상기 CIGS원 용액은 Cu, In, Ga 및 Se의 각 원(source)을 용매에 용해 및 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 용매는 D
8 8
제6항에 있어서,상기 Cu원의 조성은 Cu, CuSe, Cu2Se 및 Cu(NO3)2·3H2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 In원의 조성은 In, InCl3, InN, In2Se3 및 In(NO3)2·xH2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 Ga원의 조성은 Ga, GaN 및 Ga(NO3)2·xH2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 Se원의 조성은 Se 및 SeCl4 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 CIGS원 용액은 0
13 13
제1항에 있어서,상기 CIGS 분말의 입경은 50㎚~1㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
14 14
제1항에 있어서,상기 함침 및 건조하는 단계 및 상기 2차 열처리하는 단계 중의 하나 이상은 1회 이상 반복되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
15 15
제1항에 있어서,상기 CIGS 후막을 형성하는 단계는 스크린 인쇄, 잉크젯 및 에어로졸 상온증착 중의 하나 이상의 방법으로 행해지는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
16 16
제1항에 있어서,상기 2차 열처리된 CIGS 후막의 두께는 0
17 17
제1항에 있어서,상기 CIGS 후막을 형성하는 단계는 기판상에 배면전극을 형성하는 단계를 더 포함하고 상기 형성된 배면전극 상에 상기 CIGS 후막을 형성하는 것임을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 배면전극은 Mo, Ni, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine Tin Oxide) 및 ATO(Antimony Tin Oxide) 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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