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초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189111
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 이용하여 원하는 방향으로 소리를 방사하는 강한 지향성을 갖는 스피커에 사용되는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층으로 이루어진 적층 구조체를 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성된 하부 플레이트에 적층하여 변형률을 증가시키고, 큰 음압을 발생시킬 수 있는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 의하면 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층으로 이루어진 적층 구조체를 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성된 하부 플레이트에 적층하여 대량 생산 및 제조가 용이하고, 높은 변형률을 가지며 공기 중에서 초음파의 전달 효율을 높일 수 있는 현저한 효과가 있다.
Int. CL H04R 17/00 (2006.01) H01L 41/09 (2006.01)
CPC H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01)
출원번호/일자 1020120075921 (2012.07.12)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1386009-0000 (2014.04.10)
공개번호/일자 10-2014-0009651 (2014.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.12)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정호 대한민국 경기 수원시 장안구
2 백종후 대한민국 경기 안양시 동안구
3 전명표 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 남중희 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 ** 백두아파트 *
5 이영진 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 정영훈 대한민국 서울특별시 구로구
7 권소정 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0557030-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0036679-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0574685-94
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0862026-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0862029-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
8 등록결정서
Decision to grant
2014.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0084516-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성되는 하부 플레이트; 및상기 하부 플레이트 상에 배치되고, 전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되는 적층 구조체를 포함하고, 상기 적층 구조체는 다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 배치되는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
2 2
상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성되는 하부 플레이트; 및상기 하부 플레이트 상에 배치되고, 전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상기 하부 전극층 상에 다수 개가 적층되어 배치되고, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층, 상기 적층된 다수 개의 복합체층 사이에 각각 형성되는 중간 전극층 및 상기 적층된 다수 개의 복합체층 상에 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되는 적층 구조체를 포함하고, 상기 적층 구조체는 다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 배치되는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 플레이트는 금속 또는 폴리머 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 캐비티는 일정 간격으로 다수 개가 2차원적으로 배열되어 형성되거나, 일정한 폭을 갖도록 일 방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
5 5
제 4 항에 있어서,상기 2차원적으로 배열된 캐비티는 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 및 다각형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
6 6
제 4 항에 있어서,상기 캐비티의 폭, 깊이 및 상기 캐비티 사이의 간격에 의하여 음압이 변하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
7 7
제 4 항에 있어서,상기 캐비티 각각이 형성된 하부 플레이트의 일부분 및 상기 하부 플레이트의 일부분에 대응되는 적층 구조체의 일부분은 단위 초음파 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
8 8
제 7 항에 있어서,상기 단위 초음파 트랜스듀서는 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 플레이트와 상기 하부 플레이트 상에 배치된 상기 적층 구조체가 접하는 면은 접착 부재에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
10 10
제 9 항에 있어서,상기 캐비티 내부는 진공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane) 매트릭스인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
13 13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스피커용 초음파 트랜스듀서
14 14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복합체층은 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
15 15
가청 주파수 대역의 신호를 생성하는 오디오 주파수파 발진원;초음파 주파수 대역의 신호를 생성하는 캐리어파 발진원;상기 오디오 주파수파 발진원으로부터 출력된 오디오 주파수 대역의 신호를 이용하여 상기 캐리어파 발진원으로부터 출력된 초음파 주파수 대역의 캐리어파를 변조하는 변조기;상기 변조기로부터 출력되는 변조 신호를 증폭하는 전력 증폭기; 및상기 전력 증폭기에 의하여 증폭된 변조 신호에 의하여 구동되는 제 1 항 또는 제 2 항의 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서를 포함하는 초지향성 스피커
16 16
하부 플레이트의 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티를 형성하는 캐비티 형성 단계;전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 형성하는 적층 단계; 및다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 상기 적층 구조체를 부착하는 부착 단계를 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
17 17
하부 플레이트의 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티를 형성하는 캐비티 형성 단계;전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 다수 개의 복합체층, 상기 다수 개의 복합체층 사이에 각각 형성되는 중간 전극층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 형성하는 적층 단계; 및다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 상기 적층 구조체를 부착하는 부착 단계를 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
18 18
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 하부 플레이트는 금속 또는 폴리머 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
19 19
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 다수 개의 캐비티는 일정 간격으로 다수 개가 2차원적으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 캐비티는 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 및 다각형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서의 제조 방법
21 21
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 캐비티는 일정한 폭을 갖도록 일 방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
22 22
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
23 23
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane) 매트릭스인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
24 24
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
25 25
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 부착 단계에서 상기 하부 플레이트와 상기 하부 플레이트 상에 배치된 상기 적층 구조체가 접하는 면은 접착 부재에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
26 26
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층에 전압을 가하여 분극하는 분극 단계를 더 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.