1 |
1
상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성되는 하부 플레이트; 및상기 하부 플레이트 상에 배치되고, 전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되는 적층 구조체를 포함하고, 상기 적층 구조체는 다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 배치되는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
2 |
2
상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티가 형성되는 하부 플레이트; 및상기 하부 플레이트 상에 배치되고, 전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상기 하부 전극층 상에 다수 개가 적층되어 배치되고, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층, 상기 적층된 다수 개의 복합체층 사이에 각각 형성되는 중간 전극층 및 상기 적층된 다수 개의 복합체층 상에 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되는 적층 구조체를 포함하고, 상기 적층 구조체는 다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 배치되는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 플레이트는 금속 또는 폴리머 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
4 |
4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 캐비티는 일정 간격으로 다수 개가 2차원적으로 배열되어 형성되거나, 일정한 폭을 갖도록 일 방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 2차원적으로 배열된 캐비티는 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 및 다각형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 캐비티의 폭, 깊이 및 상기 캐비티 사이의 간격에 의하여 음압이 변하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
7 |
7
제 4 항에 있어서,상기 캐비티 각각이 형성된 하부 플레이트의 일부분 및 상기 하부 플레이트의 일부분에 대응되는 적층 구조체의 일부분은 단위 초음파 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 단위 초음파 트랜스듀서는 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
9 |
9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 하부 플레이트와 상기 하부 플레이트 상에 배치된 상기 적층 구조체가 접하는 면은 접착 부재에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 캐비티 내부는 진공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
11 |
11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
12 |
12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane) 매트릭스인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
13 |
13
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
14 |
14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복합체층은 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서
|
15 |
15
가청 주파수 대역의 신호를 생성하는 오디오 주파수파 발진원;초음파 주파수 대역의 신호를 생성하는 캐리어파 발진원;상기 오디오 주파수파 발진원으로부터 출력된 오디오 주파수 대역의 신호를 이용하여 상기 캐리어파 발진원으로부터 출력된 초음파 주파수 대역의 캐리어파를 변조하는 변조기;상기 변조기로부터 출력되는 변조 신호를 증폭하는 전력 증폭기; 및상기 전력 증폭기에 의하여 증폭된 변조 신호에 의하여 구동되는 제 1 항 또는 제 2 항의 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서를 포함하는 초지향성 스피커
|
16 |
16
하부 플레이트의 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티를 형성하는 캐비티 형성 단계;전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 형성하는 적층 단계; 및다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 상기 적층 구조체를 부착하는 부착 단계를 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
17 |
17
하부 플레이트의 상면에 일정한 깊이로 다수 개의 캐비티를 형성하는 캐비티 형성 단계;전도성 물질로 형성되는 하부 전극층, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 다수 개의 복합체층, 상기 다수 개의 복합체층 사이에 각각 형성되는 중간 전극층 및 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 순차적으로 적층하여 적층 구조체를 형성하는 적층 단계; 및다수 개의 캐비티가 형성된 상기 하부 플레이트의 상면에 상기 적층 구조체를 부착하는 부착 단계를 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
18 |
18
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 하부 플레이트는 금속 또는 폴리머 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
19 |
19
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 다수 개의 캐비티는 일정 간격으로 다수 개가 2차원적으로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 캐비티는 원형, 삼각형, 사각형, 오각형 및 다각형 중에서 선택된 어느 하나의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서의 제조 방법
|
21 |
21
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 캐비티 형성 단계에서 상기 캐비티는 일정한 폭을 갖도록 일 방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
22 |
22
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
23 |
23
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane) 매트릭스인 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
24 |
24
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적층 단계에서 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
25 |
25
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 부착 단계에서 상기 하부 플레이트와 상기 하부 플레이트 상에 배치된 상기 적층 구조체가 접하는 면은 접착 부재에 의하여 접착되는 것을 특징으로 하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|
26 |
26
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층에 전압을 가하여 분극하는 분극 단계를 더 포함하는 초지향성 스피커용 초음파 트랜스듀서 제조 방법
|