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스피커용 트랜스듀서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189112
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스피커용 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층을 이용하여 대량 생산 및 제조가 용이하고, 큰 변형률을 가지며 낮은 전압에서도 구동 가능한 스피커용 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 스피커용 트랜스듀서 및 그 제조 방법에 의하면 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층을 형성함으로써 대량 생산 및 제조가 용이하고, 큰 변형률을 가지며 낮은 전압에서도 구동할 수 있는 현저한 효과가 있다.
Int. CL H04R 17/00 (2006.01) H01L 41/09 (2006.01)
CPC H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01) H04R 17/005(2013.01)
출원번호/일자 1020120075892 (2012.07.12)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1386008-0000 (2014.04.10)
공개번호/일자 10-2014-0009642 (2014.01.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.12)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정호 대한민국 경기 수원시 장안구
2 백종후 대한민국 경기 안양시 동안구
3 전명표 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 남중희 대한민국 경기도 군포시 고산로***번길 ** 백두아파트 *
5 이영진 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 정영훈 대한민국 서울특별시 구로구
7 권소정 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안준형 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0556871-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037694-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0574684-48
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0862024-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0862025-67
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0029759-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
전도성 물질로 형성되는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 배치되고, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층; 및상기 복합체층 상에 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 포함하고, 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 스피커용 트랜스듀서
2 2
전도성 물질로 형성되는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 다수 개가 적층되어 배치되고, 상호 독립된 복수의 압전 세라믹 영역과 하나의 연결상으로 존재하는 유전성 엘라스토머 매트릭스 영역으로 이루어진 복합체층;상기 적층된 다수 개의 복합체층 사이에 각각 형성되는 중간 전극층; 및상기 적층된 다수 개의 복합체층 상에 전도성 물질로 형성되는 상부 전극층을 포함하고, 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 스피커용 트랜스듀서
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane) 매트릭스인 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서
5 5
삭제
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복합체층은 100㎛ 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서
7 7
제 1 항 또는 제 2 항의 스피커용 트랜스듀서;상기 스피커용 트랜스듀서에 전압을 인가하기 위한 전압 입력부; 및상기 스피커용 트랜스듀서의 상부 전극층 및 하부 전극층과 상기 전압 입력부를 전기적으로 연결하기 위한 전극 접속 부재를 포함하는 스피커
8 8
복수의 압전 세라믹 영역을 상호 독립되도록 유전성 엘라스토머 매트릭스에 고르게 분포시켜 복합체를 형성하는 혼합 단계;상기 복합체를 필름 형태로 성형하여 복합체층을 형성하는 성형 단계; 및상기 복합체층의 상부와 하부에 상부 전극층 및 하부 전극층을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 혼합 단계에서 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
9 9
복수의 압전 세라믹 영역을 상호 독립되도록 유전성 엘라스토머 매트릭스에 고르게 분포시켜 복합체를 형성하는 혼합 단계;상기 복합체를 필름 형태로 성형하여 다수 개의 복합체층을 형성하는 성형 단계;상기 다수 개의 복합체층 사이에 중간 전극층을 각각 형성하며 적층하는 적층 단계; 및상기 다수 개의 복합체층의 상부와 하부에 상부 전극층 및 하부 전극층을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 혼합 단계에서 상기 압전 세라믹과 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 50~70 : 30~50 vol% 비율로 혼합되는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
10 10
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 혼합 단계에서 상기 압전 세라믹은 Pb를 포함하는 페로브스카이트(perovskite) 구조의 압전 세라믹인 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
11 11
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 혼합 단계에서 상기 유전성 엘라스토머 매트릭스는 PDMS(polydimethyl siloxane)인 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 성형 단계는 상기 복합체를 닥터 블레이드에 의하여 필름 형태로 성형하는 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
14 14
제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층에 전압을 가하여 분극하는 분극 단계를 더 포함하는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 분극 단계는 다수 개의 복합체층 각각에 대하여 분극 방향을 일치하여 분극하는 것을 특징으로 하는 스피커용 트랜스듀서 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.