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카올린 및 규회석을 포함하며, 상기 카올린과 상기 규회석은 20:80∼35:65의 몰비를 이루고, 상기 카올린 100중량부에 대하여 붕산 0
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제1항에 있어서, 상기 소성체의 수축율은 10% 보다 작거나 같은 값을 나타내고, 상기 소성체의 꺾임강도는 70MPa 보다 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 저온소성용 자기 조성물
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제1항에 있어서, 상기 카올린 100중량부에 대하여 유리 프릿 및 폐유리 중에서 선택된 1종 이상의 물질 0
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 카올린 100중량부에 대하여 소다장석 0
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제1항에 있어서, 상기 카올린 100중량부에 대하여 카리장석 0
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(a) 카올린과 규회석을 20:80∼35:65의 몰비로 혼합하는 단계;(b) 혼합된 결과물을 원하는 형태로 성형하고 건조하는 단계; 및(c) 건조된 결과물을 1000∼1200℃의 온도에서 소성하여 자기를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 (a) 단계에서 상기 카올린 100중량부에 대하여 붕산 0
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제7항에 있어서, 상기 자기의 수축율은 10% 보다 작거나 같은 값을 나타내고, 상기 자기의 꺾임강도는 70MPa 보다 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 저온소성 자기의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 카올린 100중량부에 대하여 유리 프릿 및 폐유리 중에서 선택된 1종 이상의 물질 0
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10
삭제
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 카올린 100중량부에 대하여 소다장석 0
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12
제7항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 카올린 100중량부에 대하여 카리장석 0
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