1 |
1
150 내지 200℃에서 5 내지 20시간 동안의 수열처리 또는 150 내지 200℃에서 1 내지 20 분 동안의 마이크로 웨이브 처리에 의해 표면에 하나 이상의 관능기가 형성된 탄소나노튜브에 고분자성 이온 액체를 반응시켜 하기 화학식 1로 표시되는 탄소나노튜브/고분자 화합물 복합체를 제조하는 단계; 및상기 탄소나노튜브/고분자 화합물 복합체에 전도성 고분자를 코팅하여 탄소나노튜브/고분자성 화합물/전도성 고분자 복합체를 제조하는 단계를 포함하는 나노복합체의 제조 방법:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 아릴기, 탄소수 1 내지 6의 비닐기, 탄소수 2 내지 6의 알케닐기, 탄소수 1 내지 6의 할로알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알콕시기를 나타낸다
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제 1 항에 있어서, 관능기는 카르복실기, 포스페이트기, 설페이트기, 설포네이트기, 티오카보네이트기, 디티오카보네이트기, 티오카르복실레이트기 또는 디티오카르복실레이트기인 나노복합체의 제조 방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,고분자성 이온 액체는 비닐-에틸이미다졸륨 브로마이드 및 이들의 변성 이온성 액체로, 구조적으로 비닐, 알릴, 아크릴레이트, 메타아크릴레이트 등의 중합 가능한 이중결합 부분을 가지고 있는 알킬이미다졸리움 또는 알킬피리디늄, 알킬피롤리디늄, 알킬피리다지늄, 알킬피리미디늄, 알킬피라지늄, 알킬피라졸륨, 알킬피페리디늄, 알킬피페리지늄, 알킬티아졸륨, 알킬옥사졸륨, 알킬트리아졸륨, 알킬몰폴리늄, 알킬포스포늄, 알킬암모늄 및 이들의 유도체 형태의 모노머를 포함하는 나노 복합체의 제조 방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 고분자성 이온 액체는 비닐-에틸이미다졸륨 브로마이드인 나노복합체의 제조 방법
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,관능기가 형성된 탄소나노튜브 1 중량부에 대하여 고분자성 이온 액체를 1 내지 1000 중량부 사용하는 나노복합체의 제조 방법
|
8 |
8
제 1 항에 있어서,관능기가 형성된 탄소나노튜브 및 고분자성 이온 액체의 반응은 질소분위기에서 50 내지 100℃ 및 5 내지 20 시간 동안 수행하는 나노복합체의 제조 방법
|
9 |
9
제 1 항에 있어서,전도성 고분자는 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리인돌, 폴리피렌
|
10 |
10
제 1 항에 있어서,전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시디오펜(PEDOT)인 나노복합체의 제조 방법
|
11 |
11
제 1 항에 있어서,전도성 고분자는 나노복합체 100 중량부에 대하여 30 내지 70 중량부로 코팅되는 나노복합체의 제조 방법
|
12 |
12
제 1 항에 있어서,전도성 고분자와의 코팅은 10 내지 30 시간 동안 수행하는 나노복합체의 제조 방법
|
13 |
13
제 1 항에 따른 제조 방법에 의해 제조된 나노복합체
|