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텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189147
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텅스텐이 도핑 된 이산화바나듐 미세 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수용액 상에서 바나듐염과 텅스텐 화합물을 혼합하고 중탄산염을 첨가하여 텅스텐이 도핑된 바나듐 화합물 생성시킨 후에, 열분해와 같은 일반적인 공정을 통해 상전이 효과가 있는 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐을 제조하는 방법이다. 본 발명에 따른 텅스텐이 도핑 된 이산화바나듐 제조방법에 의하면, 전이온도가 가열시 38.5 ℃에서 흡열 피크를 가지며 냉각시 33.5 ℃에서 발열피크를 가지는 텅스텐이 도핑 된 안정된 이산화바나듐 분말을 단순한 공정을 사용하여 제조가 가능하며, 상기 제조된 분말은 쉽게 분산 후 열전이용 필름으로 적용이 가능하다. 또한, 이렇게 제조된 텅스텐이 도핑 된 이산화바나듐 미세 입자는 적외선의 투과 및 반사를 온도에 따라 선택적으로 할 수 있어, 건물 및 자동차 유리에 응용하여 높은 에너지 절감 효과 갖는 장점이 있다.
Int. CL C04B 35/495 (2006.01) C04B 35/628 (2006.01) C01G 31/02 (2006.01)
CPC C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120116375 (2012.10.19)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0050249 (2014.04.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유중환 대한민국 서울 양천구
2 황경준 대한민국 서울특별시 송파구
3 조초원 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0850677-44
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0853082-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053317-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0060019-85
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0287254-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0287251-26
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0583659-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수용액상에서 바나듐염과 텅스텐 화합물을 혼합하고, 중탄산염을 첨가하여 텅스텐이 도핑된 바나듐 화합물을 생성시키는 단계; 및 상기 텅스텐이 도핑된 바나듐 화합물을 열분해하는 단계;를 포함하는, 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 바나듐염은 바나듐펜톡사이드(V2O5), 바나딜설페이트, 바나딜클로라이드, 바나딜 아세틸아세토네이트, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 화합물은 텅스텐산 수화물 및 텅스텐산나트륨 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 중탄산염은 탄산수소칼륨, 탄산소암모늄, 및 탄산수소나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 바나듐염과 텅스텐 화합물은 바나듐 원소와 텅스텐 원소의 총합을 기준으로 텅스텐의 원소 함량비가 0
6 6
제1항에 있어서, 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 중탄산염은 0
8 8
제1항에 있어서, 상기 열분해 단계는 비활성 가스 분위기 하에서 500 ℃ 내지 850 ℃의 온도 범위에서 수행하는 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 텅스텐이 도핑된 이산화바나듐
10 10
제9항에 있어서, 단사정계의 결정구조를 갖고, 입자 크기는 200 nm 이하인 텅스텐 도핑 이산화바나듐
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주)대하맨텍 건물효율 향상을 위한 저온 열전이 적외선 차단 코팅제 개발 지식경제 기술혁신사업(에너지·자원융합원천기술개발사업-단기핵심)