| 1 |
1
수용액 상에서 중공 실리카 존재 하에서 바나듐 화합물과 텅스텐 화합물을 반응시켜, 상기 중공 실리카를 지지체로 하여 텅스텐이 도핑된 바나듐 화합물을 담지시키는 단계; 및 상기 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 바나듐 화합물을 열분해하는 단계;를 포함하는, 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 중공 실리카를 환원제와 혼합하는 단계를 추가로 포함하는 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 중공 실리카의 평균 입경은 1 내지 30 ㎛인 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 바나듐 화합물은 오산화바나듐, 바나딜클로라이드, 바나딜설페이트, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 화합물은 텅스텐산 수화물, 텅스텐산나트륨 수화물, 및 텅스텐산암모늄 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 6 |
6
제2항에 있어서, 상기 환원제는 히드라진, 옥살산, 소듐 보로하이드라이드, 차아황산나트륨, 티오황산나트륨, 및 그의 염이나 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 바나듐 화합물과 텅스텐 화합물은 바나듐 원소와 텅스텐 원소의 총합을 기준으로 텅스텐의 원소 함량비가 0
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 바나듐 화합물은 0
|
| 9 |
9
제2항에 있어서, 상기 환원제는 0
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 담지 단계는 60 ℃ 내지 70 ℃의 온도 범위에서 수행하는 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 열분해 단계는 에어(air) 분위기 하에서 400 ℃ 내지 900 ℃의 온도 범위에서 수행하는 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 중공 실리카에 대하여 이산화 바나듐의 담지량이 중량비로 5 wt% 내지 30 wt%인 중공 실리카에 담지된 텅스텐 도핑 이산화바나듐 복합체
|
