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투명전극 기반의 유전영동 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189160
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유전영동에 의하여 나노갭 전극들 사이에 형성된 반도체 나노 입자들을 정렬시킬 수 있는 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 투명전극 기반의 유전영동 소자 제조 방법은 (a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/30 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020120153578 (2012.12.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0083627 (2014.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160010973;
심사청구여부/일자 Y (2012.12.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤영준 대한민국 경기 용인시 수지구
2 선지윤 대한민국 서울 양천구
3 김창열 대한민국 경기 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-1079538-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0068689-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0373439-00
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0709679-30
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0830043-29
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0830042-84
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0072074-46
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.03.02 수리 (Accepted) 7-1-2015-0008119-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0331224-16
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0331225-51
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0309424-15
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0674042-03
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0779221-53
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0779222-09
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0910558-66
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0096619-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; (b) 상기 포토레지스트가 도포된 기판에 소프트 베이크(Soft bake)를 실시하는 단계; (c) 상기 소프트 베이크를 실시한 기판을 UV램프에 노출시켜 노광을 실시하는 단계; (d) 상기 노광을 실시한 기판에 포스트 베이크(Post exposure bake)를 실시하는 단계; (e) 상기 포스트 베이크를 실시한 기판을 현상액에 담궈 현상 및 식각 공정을 실시하는 단계; (f) 상기 현상 및 식각 공정이 완료된 기판에 투명전극을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 투명전극이 증착된 기판을 스트립(Strip) 용액에 담궈 상기 포토레지스트를 제거하여 투명전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 고분자 필름인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 고분자 필름은 PET(Polyethyleneterephthalate), PI(Polyimide), PEN(Polyethylene Naphthalate) 및 PC (Polycarbonate) 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 포토레지스트는 네거티브 타입인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서, 상기 도포는 2500 ~ 3500rpm 조건으로 10 ~ 30sec 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 상기 소프트 베이크는 90 ~ 100℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하고상기 (d) 단계에서, 상기 포스트 베이크는 100 ~ 120℃의 온도에서 80 ~ 100초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 UV 노광은 355 ~ 375nm 파장대에서 350 ~ 400mJ/cm²의 세기로 5 ~ 6초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (f) 단계에서, 상기 투명전극은 30 ~ 300nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
9 9
제9항에 있어서,상기 투명전극은 ITO(indium tin oxide), ATO(antimony-doped tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), PEDOT(poly3,4-ethylenedioxythiophene) 및 ZnO(zinc oxide) 중 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (g) 단계에서, 상기 스트립은 50 ~ 90℃의 온도에서 10 ~ 30분 실시하는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 (g) 단계에서, 상기 투명전극 패턴은 마주보는 양단이 삼각형, 사각형 및 구형 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자의 제조 방법
12 12
기판; 및상기 기판 상에 상호 전기적으로 분리되도록 이격 배치되는 다수의 투명전극 패턴;을 포함하며, 상기 전기적으로 분리된 다수의 투명전극 패턴은 상호 간의 이격된 사이 공간에 드롭되는 나노소재를 함유한 용액에 의해 분리, 배열 및 배향이 각각 제어되어, 상기 다수의 투명전극 패턴 상호 간의 전기적 연결이 선택적으로 재배열되는 것을 특징으로 하는 투명전극 기반의 유전영동 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101682915 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.