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전도성 고분자의 단량체인 EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene)과 탄소나노튜브를 혼합하고 마이크로웨이브를 인가하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 1 항에 있어서,전도성 고분자의 단량체와 탄소나노튜브를 혼합하기 전에, 탄소나노튜브에 마이크로웨이브를 인가하여 분산시키는 전처리 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 1 항에 있어서,탄소나노튜브에 마이크로웨이브를 인가하여 분산시키는 전처리 단계는,탄소나노튜브를 산처리 후 마이크로웨이브를 인가하는 단계; 및 중성화하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 1 항에 있어서,제조된 복합체는 탄소나노튜브/PEDOT(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene)) 복합체이고,제조방법은, 탄소나노튜브를 EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene) 및 FeCl3와 혼합하고 마이크로웨이브를 인가하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 5 항에 있어서,마이크로웨이브를 인가하는 단계는, 30℃ 내지 55℃ 온도에서 20 분 내지 3 시간 동안 마이크로웨이브를 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 1 항에 있어서,제조된 복합체는 탄소나노튜브/PIL(Polymeric Ionic Liquid)/PEDOT(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene)) 복합체이고,제조방법은,(a) 탄소나노튜브를 VEIM-Br(1-vinyl-3-ethylimidazolium Bromide) 및 AIBN(2-methylpropionitrile)과 혼합하고 마이크로웨이브를 인가하여 탄소나노튜브/PIL 복합체를 제조하는 단계; 및(b) 제조된 탄소나노튜브/PIL 복합체를 EDOT(3,4-Ethylenedioxythiophene) 및 FeCl3와 혼합하고 마이크로웨이브를 인가하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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제 7 항에 있어서,단계 (a)에서는 마이크로웨이브를 50℃ 내지 70℃에서 30분 내지 3시간 동안 인가하고,단계 (b)에서는 마이크로웨이브를 35℃ 내지 55℃에서 30분 내지 3시간 동안 인가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브와 전도성 고분자의 복합체 제조방법
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