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마이크로웨이브 건조를 이용하여 실리콘 슬러지로부터 탄화규소를 합성하는 방법 및 그의 활용 방법

  • 기술번호 : KST2015189178
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 폐슬러지로부터 탄화규소 분말을 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명은 실리콘 및 SiC를 포함하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계; 상기 실리콘 슬러지의 고형분을 원심 분리하는 단계; 상기 원심 분리된 실리콘 슬러지를 마이크로웨이브 챔버 내의 불활성 분위기에서 마이크로웨이브 가열 처리하여 유분을 제거하는 건조 단계; 및 상기 혼합물을 반응 소결하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 폐슬러지로부터 낮은 합성 온도에서 탄화규소 소결체를 제조할 수 있는 장점을 갖는다.
Int. CL C01B 31/36 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) B09B 3/00 (2006.01) C01B 33/027 (2006.01)
CPC C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01)
출원번호/일자 1020130020572 (2013.02.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1362733-0000 (2014.02.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140214) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권우택 대한민국 서울 강남구
2 김수룡 대한민국 서울 관악구
3 김영희 대한민국 서울 서대문구
4 원지연 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0172280-42
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0250690-66
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2013.03.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-2013-0021564-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0448434-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0779243-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0779241-97
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0684949-44
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0948869-68
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0948864-30
11 등록결정서
Decision to grant
2013.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0844987-88
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 및 SiC를 포함하는 실리콘 슬러지를 제공하는 단계;상기 실리콘 슬러지의 고형분을 원심 분리하는 단계;상기 원심 분리된 실리콘 슬러지를 마이크로웨이브 챔버 내의 불활성 분위기에서 마이크로웨이브 가열 처리하여 유분을 제거하는 건조 단계; 및상기 건조된 실리콘 슬러지를 반응 소결하는 단계를 포함하고, 상기 원심 분리 단계와 건조 단계 사이에 흑연 분말을 혼합하는 단계를 더 포함하며,상기 건조 단계에서 상기 마이크로웨이브 챔버 내벽의 온도는 40~80℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 실리콘 슬러지 고형분 중 SiC 함량은 50 ~ 80 중량%인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 건조 단계에서 고형분 중 SiC와 Si의 함량은 50~80 중량%인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 건조 단계와 반응 소결 단계 사이에 탄소원을 혼합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법
7 7
제1항에 있어서, 마이크로웨이브가 조사시간이 5~20분인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 절단시 발생하는 슬러지로부터 탄화규소 합성 방법
8 8
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 주식회사 비아이티범우연구소 산업원천기술개발사업 태양광 실리콘 슬러지 Zero-emission 기술 개발