| 1 |
1
Cu, In, Ga 및 Se의 각 소스 분말을 조성식 Cu(In,Ga)Se2 (이때, Cu, In 및 Ga의 몰비는 0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 합성한 Cu(In,Ga)Se2 분말에 Cu, Ga 및 Se의 각 소스 분말을 조성식 CuGaSe2를 각각 만족하는 양으로 첨가하여 혼합분말을 얻고 이 혼합분말을 기계화학적 방법으로 밀링함으로써 In 대비 Ga의 몰비가 증가된 Cu(In,Ga)Se2 분말을 합성하는 부가적 합성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 부가적 합성단계는 재귀적으로 1회 이상 반복되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 밀링은 디에틸아민(diethylamine), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 아세톤(acetone) 및 에틸렌디아민(ethylendiamine) 중의 하나 이상으로 되는 솔벤트 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 밀링은 쉐이커 밀(shaker mill), 유성밀(planetary mill) 및 어트리션밀(attrition mill) 중의 하나 이상으로 수행되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 밀링은 불활성 기체 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 불활성 기체는 He, Ar 및 N2 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 10 |
10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 Cu 소스 분말은 Cu, CuF2, CuI, CuS, CuSe, CuTe Cu2S, Cu2Se 및 Cu2Te로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 11 |
11
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 In 소스 분말은 In, InCl3, InN, InP, InSb, In2Se3 및 In2Te3로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 Se 소스 분말은 Se 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 Cu(In,Ga)Se2 분말의 제조방법
|
