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단결정 성장용 고온화학기상증착 장치

  • 기술번호 : KST2015189199
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버와, 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부와, 상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니와, 상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부와, 상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단과, 상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟과, 상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부와, 상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부와, 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구 및 상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/00 (2006.01) C30B 25/14 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01)
CPC C30B 25/10(2013.01) C30B 25/10(2013.01) C30B 25/10(2013.01) C30B 25/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130083238 (2013.07.16)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1469502-0000 (2014.12.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.16)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서원선 대한민국 서울 강남구
2 이명현 대한민국 경기 수원시 영통구
3 김경훈 대한민국 경기 안산시 상록구
4 정성민 대한민국 경기 광명시 하안로 ***,
5 윤영준 대한민국 경기 용인시 수지구
6 안종필 대한민국 경기 수원시 장안구
7 남덕희 대한민국 인천 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0637417-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0026436-20
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0570240-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0883503-51
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0883531-29
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0791605-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 도가니는 하부에서 상부까지 내부가 관통되어 있는 구조를 갖고, 흑연 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
2 2
삭제
3 3
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 도가니는, 상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부에 안착되는 제1 도가니; 상기 제1 도가니의 상부에 장착되는 제2 도가니; 및 상기 제2 도가니 상부에 장착되는 제3 도가니를 포함하는 3단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1 도가니는, 하부에 구비되고 상기 도가니 지지부의 상단이 일부 삽입되게 상부로 오목하게 구비된 제1 단턱부;내측을 중심으로 외측 방향으로 돌출되게 구비되어 상기 도가니의 둘레를 감싸는 단열재를 지지하기 위한 단열재 지지부; 및상부에 구비되고 상기 제2 도가니의 하단이 일부 삽입되게 하부로 오목하게 구비된 제2 단턱부를 포함하고,상기 제2 도가니는,하부에 구비되고 상기 제1 도가니의 상단이 일부 삽입되게 상부로 오목하게 구비된 제3 단턱부; 및상부에 구비되고 상기 제3 도가니의 하단이 일부 삽입되게 하부로 오목하게 구비된 제4 단턱부를 포함하며,상기 제3 도가니는,상기 제2 도가니의 상단이 일부 삽입되게 상부로 오목하게 구비된 제5 단턱부를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
5 5
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 반응챔버의 하부에 상기 반응챔버 지지부가 구비되고,상기 반응챔버 지지부는, 상기 반응챔버의 하단과 맞닿아서 밀폐하기 위한 받침부; 상기 받침부와 연결되는 몸체부; 및 상기 몸체부와 연결되어 지지하기 위한 제1 지지 플레이트를 포함하며, 상기 받침부, 상기 몸체부 및 상기 제1 지지 플레이트의 내부에는 빈 공간인 관통공이 구비되어 있고, 상기 관통공은 상기 반응챔버의 내부와 연결되는 통로로서 상기 도가니와 상기 도가니 지지부가 삽입되는 공간을 제공하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 받침부에는 상기 반응챔버의 하단 일부가 삽입되게 하부로 오목한 단턱부가 형성되어 있고, 상기 몸체부의 둘레에는 냉각 실린더가 구비되며,상기 냉각 실린더 내부를 흐르는 냉각수에 의해 상기 반응챔버 지지부를 수냉시켜 상기 반응챔버의 하단이 과열되는 것을 억제하고 상기 반응챔버의 하단을 냉각시킬 수 있으며, 상기 제1 지지 플레이트는 상기 몸체부의 외경보다 큰 넓은 판형으로 구비되고 가이드레일에 연결되며, 상기 가이드레일을 따라 상기 반응챔버와 상기 반응챔버 지지부는 상하로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
7 7
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 도가니의 하부에 상기 도가니 지지부가 구비되고,상기 도가니 지지부는, 상기 도가니가 안착되고 증착 시에 상기 반응챔버 지지부 내에 구비된 관통공을 통해 상기 반응챔버 내로 일부 삽입되는 도가니 안착부; 상기 도가니 안착부에 연결되고 상기 반응챔버 지지부 내에 구비된 관통공을 밀폐하기 위한 실링부; 및상기 실링부와 연결되어 지지하기 위한 제2 지지 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
8 8
제7항에 있어서, 상기 도가니 안착부, 상기 실링부 및 상기 제2 지지 플레이트의 내부에는 온도 측정용 홀이 구비되어 있고, 상기 도가니의 내부와 연결되는 통로인 상기 온도 측정용 홀을 통해 광학적 온도 측정 방식을 이용하여 상기 도가니의 온도를 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
9 9
제7항에 있어서, 상기 도가니 안착부는 기둥 형상의 구조로 이루어지고,상기 도가니 안착부의 상부는 상기 도가니의 하단과 맞닿는 부분으로서 상기 도가니의 하단에 구비된 오목한 제1 단턱부로 일부 삽입됨으로써 상기 도가니와 결합되며,상기 도가니 안착부에는 상기 반응챔버 내로 가스를 유입시키기 위한 가스유입구가 구비되어 있으며, 상기 제2 지지 플레이트는 상기 실링부의 외경보다 큰 넓은 판형으로 구비되고 가이드레일에 연결되며, 상기 가이드레일을 따라 상기 도가니와 상기 도가니 지지부는 상하로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
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원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 반응챔버 지지부를 승강 또는 하강시키기 위한 제1 구동부를 더 포함하며, 상기 제1 구동부에 의해 상기 반응챔버와 상기 반응챔버 지지부가 상하로 이동될 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
11 11
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 도가니 지지부를 승강 또는 하강시키기 위한 제2 구동부를 더 포함하며, 상기 제2 구동부에 의해 상기 도가니와 상기 도가니 지지부가 상하로 이동될 수 있어 상기 도가니와 상기 타겟 사이의 거리를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
12 12
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 타겟 지지부는 승강 또는 하강할 수 있게 구비되고, 상기 타겟 지지부의 승강 또는 하강에 연동되어 상기 타겟이 상하로 이동될 수 있어 상기 타겟과 상기 도가니 사이의 거리를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
13 13
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 가열수단은 승강 또는 하강될 수 있게 구비되고, 상기 가열수단이 상하로 이동될 수 있어 상기 도가니의 위치에 따라 상기 가열수단의 위치를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
14 14
제1항에 있어서, 상기 타겟 지지부에 온도 측정용 홀이 상기 타겟이 설치된 위치까지 관통되게 형성되고, 상기 온도 측정용 홀을 통해 광학적 프리즘을 이용하여 상기 타겟의 온도를 광학적으로 측정하는 광학적 온도 측정장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
15 15
제1항에 있어서, 상기 도가니 지지부에 온도 측정용 홀이 상기 도가니가 설치된 위치까지 관통되게 형성되고, 상기 온도 측정용 홀을 통해 광학적 프리즘을 이용하여 상기 도가니의 온도를 광학적으로 측정하는 광학적 온도 측정장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
16 16
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 가열수단의 둘레에는 냉각 실린더가 더 구비되고, 상기 냉각 실린더 내부를 냉각수가 순화되게 하여 상기 반응챔버 내부의 온도가 과열되는 것을 억제하고 상기 반응챔버를 냉각하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
17 17
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 타겟 주변의 열 방출을 억제하기 위한 단열재가 더 구비되고, 상기 단열재는 증착되는 위치를 제외한 부분의 타겟 둘레를 감싸는 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
18 18
원료 가스가 공급되어 목표하는 물질을 합성하는 공간을 제공하는 반응챔버; 상기 반응챔버를 지지하기 위한 반응챔버 지지부;상기 반응챔버 내에 구비되고 자체 가열원으로 작용하는 도가니;상기 도가니를 지지하기 위한 도가니 지지부;상기 반응챔버의 둘레를 감싸게 구비되고 상기 도가니를 고주파 유도가열 방식으로 가열하기 위한 가열수단;상기 도가니 상부에 위치되고 목표하는 물질이 증착되는 타겟;상기 타겟을 지지하기 위한 타겟 지지부;상기 반응챔버에 원료 가스를 공급하는 원료공급부; 상기 원료 가스를 상기 반응챔버에 공급하기 위한 통로를 제공하는 가스유입구; 및상기 반응챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스배출구를 포함하며,상기 원료공급부는, 액상의 원료를 저장하여 상기 가스유입구로 원료 가스를 공급하기 위한 원료저장부; 및상기 원료를 가열하여 기화시키기 위한 가열수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
19 19
제18항에 있어서, 상기 원료공급부는,상기 원료를 버블링 시키기 위한 적어도 하나의 버블 가스를 공급하는 버블 가스 공급부;상기 버블 가스가 상기 원료저장부로 유입되는 통로를 제공하는 버블 가스 유입구; 및상기 원료가 기화되어 형성된 원료 가스가 상기 원료저장부에서 배출되어 상기 가스유입구로 공급하기 위한 통로를 제공하는 원료 가스 공급구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
20 20
제19항에 있어서, 상기 버블 가스 유입구로 유입된 버블 가스가 상기 버블 가스 유입구에서 상기 원료저장부의 저부로 이동되는 경로를 제공하는 버블 가스 운반관이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
21 21
제18항에 있어서, 상기 원료저장부에 저장된 원료의 함량을 확인할 수 있게 원료확인부가 구비되어 있으며, 상기 원료확인부는 투명한 창을 갖는 별도의 도관으로 형성되고 상기 원료저장부의 바닥면과 상기 원료확인부의 바닥면이 동일하게 함으로써 상기 원료저장부에 원료가 채워지는 경우에 상기 원료확인부에도 동일한 높이로 원료가 채워지게 구성되며, 상기 원료확인부의 투명한 창을 통해 액상인 원료의 잔량을 확인함으로써 상기 원료를 보충하는 시기를 판단할 수 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
22 22
제18항에 있어서, 상기 원료저장부의 둘레에는 냉각 실린더가 더 구비되고, 상기 냉각 실린더 내부를 냉각수가 순화되게 하여 액상의 상기 원료가 기화되는 것을 억제하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
23 23
제18항에 있어서, 상기 원료저장부와 상기 가스유입구를 연통하는 도관의 둘레에는 가열수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
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1 산업통상자원부 (주) 포스코 WPM(World Premier Materials)사업 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술