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복합 박막의 제조 방법에 있어서,복합 박막이 생성될 대상 물질에 대하여 전처리 과정을 수행하는 단계;알루미늄 및 티타늄을 타켓 금속으로 하여 진공 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition)을 수행하는 단계; 및실리콘을 타겟 금속으로 하여 진공 증착법을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전처리 과정은 아르곤 가스를 이용하여 식각하는 과정인 것을 특징으로 하는 복합 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 전처리 과정은, 진공 증착이 수행되는 진공 챔버에 상기 아르곤 가스를 투입하고, 타켓 금속없이 상기 대상 물질만을 상기 진공 챔버에 투입하여 진공 증착법을 수행하는 과정인 것을 특징으로 하는 복합 박막 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 진공 증착법을 수행하는 것은 바이어스 전압(Bias voltage, -V)은 400 내지 900, 진공 챔버 압력(Chamber Pressure, mbar)은 10-2 내지 10-3, 타겟 전류(Target current, A)는 60 내지 130, 상기 챔버 온도(℃)는 300 내지 600 및 식각 시간(min
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 및 티타늄을 타켓 금속으로 하여 진공 증착법을 수행하는 단계는,바이어스 전압 (Bias voltage, -V)은 30 내지 100, 진공 챔버 압력 (Chamber Pressure, mbar)은 10-2 내지 10-3, 타겟 전류 (Target current, A)는 80 내지 200, 챔버 온도(℃)는 350 내지 650 및 증착 시간(min
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제1항에 있어서,실리콘을 타겟 금속으로 하여 진공 증착법을 수행하는 단계는,바이어스 전압 (Bias voltage, -V)은 30 내지 100, 진공 챔버 압력 (Chamber Pressure, mbar)은 10-2 내지 10-3, 타겟 전류 (Target current, A)는 80 내지 200, 챔버 온도(℃)는 350 내지 650 및 증착 시간(min
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제1항에 있어서,상기 복합 박막 제조 방법에 생성되는 상기 복합 박막의 두께는 2 내지 3 ㎛인 것을 특징으로 하는 복합 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 복합 박막 제조 방법에 생성되는 상기 복합 박막의 경도는 40GPa이상의 경도를 가지는 것을 특징으로 하는 복합 박막의 제조 방법
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