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진동구조물에 장착되며, 복수 개의 탄성체가 설정된 길이 내에서 간격을 두고 구비되는 탄성부재와,상기 탄성부재에 연결되며 상기 진동구조물로부터 발생된 진동에 의해 전원을 발생시키는 압전부재를 포함하며,상기 압전부재는, 상기 압전부재의 길이 방향으로 프리 스트레인(pre-strain)이 가해진 상태에서 상기 탄성부재에 연결되는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 압전부재의 길이 방향 양단에 구비되는 비탄성부재를 더 포함하는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 압전부재는, 필름 형태로 제공되는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 압전부재는, 상기 탄성부재에 연결되기 이전에 길이 방향으로 프리 스트레인이 가해짐에 따라 아치 모양으로 휘어진 형상을 갖는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 압전부재는,압전판과, 상기 압전판의 상, 하면 중 적어도 일면에 구비되는 전극을 포함하는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제5항에 있어서,상기 압전판은,Pb(Zr,Ti)O3＋Pb(Zn,Nb)O3, (Ba,Bi,Na)TiO3, Pb(Zr,Ti)O3＋Pb(Ni,Nb)O3, (Na,K)NbO3-(Li,Na,K)TaO3, Pb(Zr,Ti)O3＋PVDF 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3＋실리콘 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3+에폭시 폴리머 중 선택된 하나로 형성되는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제5항에 있어서,상기 전극은,백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 탄탈륨 질화물(TaN) 및 티타늄 질화물(TiN) 중 선택된 1종 이상으로 형성되는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 탄성부재에서, 상기 복수 개의 탄성체는 서로 다른 탄성계수를 갖는 것을 특징으로 하는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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제1항에 있어서,상기 탄성부재에서, 상기 복수 개의 탄성체는 상기 압전부재의 길이 중심으로부터 멀어질수록 상호 대칭되게 탄성계수가 감소하는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 진동구조물용 압전 하베스팅 장치
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진동구조물에 장착되며, 복수 개의 탄성체가 설정된 길이 내에서 간격을 두고 구비되는 탄성부재;상기 탄성부재에 연결되며 상기 진동구조물로부터 발생된 진동에 의해 전원을 발생시키는 압전부재; 및상기 압전부재로부터 발생된 전원에 의해 상기 진동구조물의 내부 조건을 검출하는 센싱유닛;을 포함하며,상기 압전부재는, 상기 압전부재의 길이 방향으로 프리 스트레인(pre-strain)이 가해진 상태에서 상기 탄성부재에 연결되는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 센싱유닛은 진동 구조물의 온도, 습도, 가속도, 변위, 자이로(gyro) 중 적어도 하나 이상을 측정하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 센싱유닛에서 검출된 신호를 외부로 무선 전송하는 무선송수신부를 포함하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 압전부재의 길이 방향 양단에 구비되는 비탄성부재를 더 포함하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 압전부재는, 필름 형태로 제공되는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 압전부재는, 상기 탄성부재에 연결되기 이전에 길이 방향으로 프리 스트레인이 가해짐에 따라 아치 모양으로 휘어진 형상을 갖는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 압전부재는,압전판과, 상기 압전판의 상, 하면 중 적어도 일면에 구비되는 전극을 포함하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제16항에 있어서,상기 압전판은,Pb(Zr,Ti)O3＋Pb(Zn,Nb)O3, (Ba,Bi,Na)TiO3, Pb(Zr,Ti)O3＋Pb(Ni,Nb)O3, (Na,K)NbO3-(Li,Na,K)TaO3, Pb(Zr,Ti)O3＋PVDF 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3＋실리콘 폴리머, Pb(Zr,Ti)O3+에폭시 폴리머 중 선택된 하나로 형성되는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제16항에 있어서,상기 전극은,백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 탄탈륨 질화물(TaN) 및 티타늄 질화물(TiN) 중 선택된 1종 이상으로 형성되는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 탄성부재에서, 상기 복수 개의 탄성체는 서로 다른 탄성계수를 갖는 것을 특징으로 하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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제10항에 있어서,상기 탄성부재에서, 상기 복수 개의 탄성체는 상기 압전부재의 길이 중심으로부터 멀어질수록 상호 대칭되게 탄성계수가 감소하는 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 진동구조물용 자가 발전식 센싱 장치
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