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용융법을 이용하여 전이원소가 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189212
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전이금속 화합물 2종 이상이 코-도핑된 이산화바나듐 입자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 바나듐염과 코-도핑에 사용되는 전이원소를 소정의 함량 범위로 균일하게 혼합하여 혼합된 분말을 퍼니스에서 고온으로 용융(molten)시킨 후에, 상기의 화합물을 퍼니스에서 꺼내어 증류수에 급냉시키고, 흡습된 수분을 제거하기 위한 소성 단계, 암모니아와 질소가스에 의해 환원시키는 환원단계 및 상기 환원된 분말입자를 열처리하여 안정화시키는 열처리단계를 통해 상전이 효과가 있는 이산화바나듐을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 전이원소가 코-도핑 된 이산화바나듐 제조방법에 의하면, 전이온도가 상온 부근으로 낮추며 안정된 이산화바나듐 분말을 일반적인 공정을 사용하여 제조가 가능하며, 상기 제조된 분말은 쉽게 분산 후 열전이용 필름으로 적용이 가능하다. 또한, 이렇게 제조된 전이원소가 코-도핑 된 이산화바나듐 미세 입자는 적외선의 투과 및 반사를 온도에 따라 선택적으로 할 수 있어, 건물 및 자동차 유리에 응용하여 높은 에너지 절감 효과 갖는 장점이 있다.
Int. CL C04B 35/495 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C01G 31/02 (2006.01)
CPC C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130110686 (2013.09.13)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1516730-0000 (2015.04.24)
공개번호/일자 10-2015-0031128 (2015.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150504) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유중환 대한민국 서울 양천구
2 신지혜 대한민국 대구 동구
3 조초원 대한민국 서울 동대문구
4 김희정 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0841914-05
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0091808-14
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0802742-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1218463-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1218464-72
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0124651-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
바나듐염과 2종 이상의 전이 금속 화합물을 균일하게 혼합한 후에, 700 ℃ 내지 1,000 ℃의 온도에서 용융(molten)하는 단계; 상기 용융된 화합물을 급냉시킨 후에, 소성 공정을 통해 수분을 제거하는 단계;상기 소성된 화합물을 암모니아와 질소가스에 의해 환원시키는 단계; 및 상기 환원된 화합물을 500 ℃ 내지 800 ℃의 온도에서 열처리하는 단계; 를 포함하고, 상기 바나듐염과 전이 금속 화합물은 바나듐 원소와 전이 금속 원소의 총합을 기준으로 전이 금속 원소의 함량이 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 바나듐염은 오산화바나듐, 바나딜설페이트, 바나딜 클로라이드, 바나딜 아세틸아세토네이트 및 그의 수화물이나 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전이금속이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전이금속 화합물은 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄, 주석, 및 안티몬으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 전이금속 원소를 포함하는 것인 전이금속이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 소성 단계는 300 ℃ 내지 600 ℃의 온도 범위에서 수행하는 전이금속이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 환원 단계는 비활성 가스 분위기 하에서 400 ℃ 내지 700 ℃의 온도 범위에서 수행하는 전이금속이 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
6 6
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7 7
삭제
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주) 대하맨텍 건물효율 향상을 위한 저온 열전이 적외선 차단 코팅제 개발 지식경제기술혁신사업(에너지.자원융합원천기술개발사업-단기핵심)