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산화물 반도체 박막의 결정화 방법

  • 기술번호 : KST2015189228
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물 반도체 박막의 결정화 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 결정화 방법은 비정질 상태의 산화물 반도체 박막 상에 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 표면에 상기 전도성 박막이 형성된 상태에서 전자빔을 조사하여 산화물 반도체 박막을 결정화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 전도성 박막은 투명전도성산화물 또는 금속박막이 될 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01) H01L 21/02689(2013.01)
출원번호/일자 1020130164235 (2013.12.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1570443-0000 (2015.11.13)
공개번호/일자 10-2015-0075861 (2015.07.06) 문서열기
공고번호/일자 (20151119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤영준 대한민국 경기 용인시 수지구
2 조성환 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1190886-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0089142-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0217485-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0528604-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0528605-62
8 등록결정서
Decision to grant		 2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0742331-68
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번호 청구항
1 1
비정질 상태의 산화물 반도체 박막 상에 전도성 박막을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 박막의 노출된 표면에 전자빔을 조사하여 산화물 반도체 박막을 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 전자빔 조사는 상기 산화물 반도체의 미세구조가 비정질 매트릭스 내에 나노결정이 산재하도록 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전도성 박막은 투명전도성산화물(TCO)로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 전자빔 조사시 상기 투명전도성산화물도 함께 결정화되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전도성 박막은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 10~100nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전도성 박막은 10~200nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체의 증착 및 전자빔 조사는 200℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 전자빔 조사는 0
10 10
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 Zn, Sn, In, Ga 및 Cu 중에서 선택되는 1종의 원소와 산소가 결합되어 형성되는 단원계 산화물 재질이거나 Zn, Sn, In, Ga 및 Cu 중에서 선택되는 2종 이상의 원소와 산소가 결합되어 형성되는 이원계 이상의 다중 산화물 재질인 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 박막의 결정화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.