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유도 열 플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 발생하도록 펌핑하는 단계;플라즈마 소스 가스를 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계;플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료를 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 열분해되어 나노카본이 생성되는 단계;생성된 나노카본이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 및급냉된 나노카본이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계를 포함하며, 상기 출발원료로는, 탄소(C) 성분과 수소(H) 성분을 함께 포함하는 옥타데칸(C18H38), 노나데칸((C19H40), 이코산(C20H42), 헨이코산(C21H44), 도코산(C22H46), 트리코산(C23H48), 테트라코산(C24H50), 펜타코산(C25H52), 헥사코산(C26H54), 헵타코산(C27H56), 옥타코산(C28H58), 노나코산(C29H60), 트리아콘탄(C30H62), 헨트리아콘탄(C31H64), 도트리아콘탄(C32H66), 트리트리아콘탄(C33H68), 테트라트리아콘탄(C34H70), 펜타트리아콘탄(C35H72), 헥사트리아콘탄(C36H74), 헵타트리아콘탄(C37H76), 옥타트리아콘탄(C38H78), 노나트리아콘탄(C39H80), 테트라콘탄(C40H82), 헨테트라콘탄(C41H84), 도테트라콘탄(C42H86), 테트라테트라콘탄(C44H90), 헥사테트라콘탄(C46H94), 옥타테트라콘탄(C48H98), 펜타콘탄(C50H102), 테트라펜타콘탄(C54H110), 옥타펜타콘탄(C58H118) 및 헥사콘탄(C60H122) 중에서 선택된 1종 이상의 고상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 출발원료는 액상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소와 상기 고상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소가 혼합된 원료이고,상기 액상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소는 탄소(C) 성분과 수소(H) 성분을 함께 포함하는 펜탄(C5H12), 헥산(C6H14), 헵탄(C7H16), 옥탄(C8H18), 노난(C9H20), 데칸(C10H22), 운데칸(C11H24), 도데칸(C12H26), 트리데칸(C13H28), 테트라데칸(C14H30), 펜타데칸(C15H32), 헥사데칸(C16H34) 및 헵타데칸(C17H36) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 출발원료는 상기 고상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소와 고상의 흑연이 혼합된 원료인 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 출발원료는 액상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소, 상기 고상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소 및 고상의 흑연이 혼합된 원료이고,상기 액상의 알칸(CnH2n+2, 여기서 n은 자연수)계 탄화수소는 탄소(C) 성분과 수소(H) 성분을 함께 포함하는 펜탄(C5H12), 헥산(C6H14), 헵탄(C7H16), 옥탄(C8H18), 노난(C9H20), 데칸(C10H22), 운데칸(C11H24), 도데칸(C12H26), 트리데칸(C13H28), 테트라데칸(C14H30), 펜타데칸(C15H32), 헥사데칸(C16H34) 및 헵타데칸(C17H36) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 나노카본 분말은 평균 입경이 5∼300㎚의 크기를 갖는 분말인 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 출발원료의 공급 유량은 5∼1000cc/min 범위로 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 아르곤(Ar) 가스로 이루어지고, 상기 분산가스의 공급 유량은 1∼30slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 급냉가스에 의해 상기 나노카본이 냉각될 때 상기 반응관은 100∼500℃의 온도로 유지되고, 상기 급냉가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)가스를 사용하며, 상기 급냉가스의 공급 유량은 0∼1000slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며, 상기 보호가스로 질소(N2) 가스, 아르곤(Ar) 가스 또는 아르곤(Ar)과 수소(H2)가 부피비로 1:9∼9
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제1항에 있어서, 상기 고주파 파워 서플라이로부터 인가되는 유도기전력은 5∼100kW이고, 상기 반응관 내의 압력이 상기 나노카본이 생성되는 동안에 2∼15psi 범위로 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 소스 가스는 아르곤(Ar) 가스를 사용하고, 상기 플라즈마 소스 가스의 공급 유량은 5∼50slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 나노카본 분말 제조방법
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