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성장기판 상부에 금속막을 증착하는 제1단계;상기 금속막에 1차 열처리하여 상기 금속막을 규칙적이면서 불연속성을 갖는 금속층으로 형성하는 제2단계;상기 금속층이 매립되도록 저온의 씨드층을 형성하는 제3단계; 상기 씨드층 상부에 질화갈륨계 반도체층을 형성하는 제4단계; 및상기 질화갈륨계 반도체층을 상기 성장기판으로부터 자연 분리시키는 제5단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 성장기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속막은 5∼50㎚ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속막은 Ni, Au, Cr 및 Co 중 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속막은 열기상증착법(Thermal evaporation), 전자-빔(E-beam) 및 스퍼터(sputter) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 1차 열처리는 600∼1200℃ 온도에서 5∼20분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 규칙적이면서 불연속성을 갖는 금속층은 원통형 또는 반구형의 도트 형상인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 제2단계는 상기 금속층에 질화처리하여 상기 금속층을 질화금속층으로 개질하는 제2-1단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 8 항에 있어서,상기 질화처리는 700∼1100℃에서 5∼10분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 8 항에 있어서,상기 질화금속층은 나노 컬럼 형상인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 질화갈륨계 반도체층 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 450∼750℃에서 5∼10분 동안 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 100∼3000㎚ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 상기 금속층 사이를 매립하고 상부는 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 제4단계는 상기 씨드층에 2차 열처리를 수행하는 제4-1단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 15 항에 있어서,상기 2차 열처리는 1000∼1100℃에서 10∼30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 15 항에 있어서,상기 2차 열처리에 의하여 상기 금속층과 씨드층 사이에 보이드가 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화갈륨계 반도체층은 1000∼1100℃에서 에피 측면 과성장(ELOG) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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19
제 1 항에 있어서,상기 질화갈륨계 반도체층은 200㎛ 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계 내지 제 4 단계는 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 장비 내에서 인-시튜(in-situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법
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성장기판;상기 성장기판 상부에 규칙적이면서 불연속적으로 형성된 질화금속층;상기 질화금속층을 매립하도록 저온 성장된 씨드층; 및상기 씨드층 상부에 형성된 질화갈륨계 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 성장기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 질화금속층은 나노 컬럼 형상인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 질화금속층은 Ni, Au, Cr 및 Co 중 어느 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 씨드층은 질화갈륨계 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 씨드층은 100∼3000㎚ 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 씨드층과 질화금속층 사이에는 보이드가 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 질화갈륨계 반도체층은 에피 측면 과성장(ELOG)으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 21 항에 있어서,상기 질화갈륨계 반도체층은 200㎛ 이상의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체기판용 기판 구조체
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제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항의 질화갈륨계 반도체기판의 형성방법에 의하여 형성된 질화갈륨계 반도체 기판
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