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인듐저감 박막을 적용한 유기전계발광소자 및 유기태양전지디바이스 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189281
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발명은 현재 아이티오 투명전도성 산화물에서 인듐을 18.6~28.7% 아연과 주석으로 대체한 인듐 저감 조성(In1.6Zn0.2Sn0.2O3 ~ In1.2Zn0.4Sn0.4O3)으로 단일상의 인듐 산화물 타겟을 제조한 후 투명 전도막을 성막하여 유기전계발광소자나 유기태양전지용 박막으로 적용하는 것이다.위 발명에 따라 유기전계발광소자나 유기태양전지용으로 현재 사용하고 있는아이티오 타겟을 대체할수 있는 인듐 저감 대체 타겟을 개발함에 따라 인듐 고갈에 대비하는 효과 외에도 인듐 저감으로 원재료 가격 절감, 아이티오 타겟 합성에서의 폐수발생 문제를 해결할 수 있었을 뿐만 아니라 현 아이티오보다 더 치밀화한 나노 크기 분말의 고밀도화 방법 제시 및 인듐저감으로 투명전도성 타겟의 가격을 30%이상 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C01G 15/00 (2014.01) C30B 9/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 51/50 (2014.01)
CPC C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01) C23C 14/086(2013.01)
출원번호/일자 1020110126573 (2011.11.30)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1378780-0000 (2014.03.21)
공개번호/일자 10-2013-0060488 (2013.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최병현 대한민국 경기도 광명시 철산로 **,
2 지미정 대한민국 경기도 광명시 하안로 ***
3 안용관 대한민국 경기도 부천시 오정구
4 안용태 대한민국 경기도 광명시 하
5 최진훈 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황성택 대한민국 서울특별시 구로구 경인로**길 **, 가동 ****호 노송특허법률사무소 (구로동, 중앙유통단지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0950832-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5144558-80
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0093517-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0346291-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0644584-10
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0644585-55
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0831362-69
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.12.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1130117-79
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0899091-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
12 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0242231-25
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
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반응용기에서 부탄올과 금속 아세테이트를 혼합 및 합성하고, 상기 합성물을 진공 회전증발기를 이용하여 하여 건조함으로써, 아연과 주석이 고용된 단일 결정상 빅스바이트를 갖는 인듐을 저감한 인듐 산화물을 생성하는 공정과,상기 인듐을 저감한 인듐 산화물에 분산제로 도데실라민, 또는 암모늄폴리메타아크릴레이트, 도데실라민과 하이드록실프로필 셀룰로오즈 혼합물, 도데실라민과 폴리에틸렌글리콜 혼합물 중 어느 하나를 첨가하고, 결합제 및 이형제를 투입하여 슬러리를 제조한 후, 분무 건조기를 이용하여 과립을 제조하는 공정과,상기 과립을 1차 일축성형, 2차 등가압 성형을 하여 타겟 성형체를 제조한 후, 산소가압전기로에서 타겟 성형체의 소결온도보다 150~200℃ 낮은 1350℃에서 소성한 후, 아르곤 가스분위기 하에서 열처리하여 상대밀도가 99
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반응용기에서 부탄올과 금속 아세테이트를 혼합 및 합성하고, 상기 합성물을 진공 회전증발기를 이용하여 하여 건조함으로써, 아연과 주석이 고용된 단일 결정상 빅스바이트를 갖는 인듐을 저감한 인듐 산화물을 생성하는 공정과,상기 인듐을 저감한 인듐 산화물에 분산제로 도데실라민, 또는 암모늄폴리메타아크릴레이트, 도데실라민과 하이드록실프로필 셀룰로오즈 혼합물, 도데실라민과 폴리에틸렌글리콜 혼합물 중 어느 하나를 첨가하고, 결합제 및 이형제를 투입하여 슬러리를 제조한 후, 분무 건조기를 이용하여 과립을 제조하는 공정과,상기 과립을 1차 일축성형, 2차 등가압 성형을 하여 타겟 성형체를 제조한 후, 산소가압전기로에서 타겟 성형체의 소결온도보다 150~200℃ 낮은 1350℃에서 소성한 후, 아르곤 가스분위기 하에서 열처리하여 상대밀도가 99
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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