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(a) MgO-M2-xO-Al2O3-SiO2계 유리 분말(여기서, M은 Ca, Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고, 상기 M이 Ca인 경우에는 x는 1이고, 상기 M이 Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속인 경우에는 x는 0 임)을 준비하는 단계;(b) AlN 분말과 상기 유리 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계;(c) 상기 혼합 분말을 목표하는 형태로 성형하는 단계; 및(d) 성형된 결과물을 1400∼1700℃의 소결 온도에서 소결하는 단계를 포함하며,상기 (a) 단계는,글리콜(glycol)계 용매와 하이드록시 카르복실산(hydroxy carboxylic acid)계 용매의 혼합 용매에 마그네슘(Mg) 전구체, M 전구체(여기서, M은 칼슘(Ca), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 리튬(Li) 중에서 선택된 1종 이상의 금속임), 알루미늄(Al) 전구체 및 실리콘(Si) 전구체를 혼합하여 반응시키는 단계;반응된 결과물을 건조하여 분말전구체를 얻는 단계; 및상기 분말전구체에 잔존하는 유기물과 휘발 성분을 제거하기 위해 상기 분말전구체를 열처리하여 MgO-M2-xO-Al2O3-SiO2계 유리 분말(여기서, M은 Ca, Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고, 상기 M이 Ca인 경우에는 x는 1이고, 상기 M이 Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속인 경우에는 x는 0 임)을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는,도가니를 준비하는 단계;소결시 성형된 결과물에서 나오는 액상이 상기 도가니에 붙는 것을 방지하기 위해 상기 도가니에 붕화질소(BN)를 코팅하는 단계;성형된 결과물을 상기 붕화질소(BN)가 코팅된 도가니에 장입하는 단계;성형된 결과물이 장입된 도가니를 퍼니스에 안착하는 단계;상기 퍼니스 내의 공기를 배기하여 대기압보다 낮은 진공 상태로 만드는 단계;상기 퍼니스 내로 비활성 가스를 퍼지하는 단계; 및상기 퍼니스 내의 온도를 상기 소결 온도로 승온하고 상기 소결 온도에서 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 유리 분말은 상기 혼합 분말에 1∼25중량% 함유되게 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 글리콜계 용매는 에틸렌 글리콜을 포함하고, 상기 하이드록시 카르복실산계 용매는 시트르산을 포함하는 것을 특징으로 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘(Mg) 전구체는 마그네슘 질산염, 마그네슘 염화염 및 마그네슘 아세테이트염 중에서 선택된 1종 이상의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 M 전구체는 M2-xCO3(여기서, M은 Ca, Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속이고, 상기 M이 Ca인 경우에는 x는 1이고, 상기 M이 Na, K 및 Li 중에서 선택된 1종 이상의 금속인 경우에는 x는 0 임)를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 알루미늄(Al) 전구체는 알루미늄 질산염, 알루미늄 염화염 및 알루미늄 아세테이트염 중에서 선택된 1종 이상의 염을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘(Si) 전구체는 테트라에틸오르소실리케이트(tetraethyl orthosilicate)를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합 용매는 상기 글리콜계 용매와 상기 하이드록시 카르복실산계 용매가 1∼10:1의 몰비로 혼합된 용매인 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘(Mg) 전구체, 상기 M 전구체, 상기 알루미늄(Al) 전구체 및 상기 실리콘(Si) 전구체의 총량과 상기 하이드록시 카르복실산계 용매가 1:1∼30의 몰비로 혼합되게 하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘(Mg) 전구체와 상기 M 전구체는 1:1∼5의 몰비로 혼합하고, 상기 마그네슘(Mg) 전구체와 상기 알루미늄(Al) 전구체는 1:2∼6의 몰비로 혼합하며,상기 마그네슘(Mg) 전구체와 상기 실리콘(Si) 전구체는 1:5∼11의 몰비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는, 상기 분말전구체에 잔존하는 유기물을 제거하기 위해 300∼600℃의 온도에서 제1 열처리하는 단계; 및제1 열처리된 결과물에서 휘발 성분을 제거하기 위해 600∼900℃의 온도에서 제2 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 소결체의 제조방법
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