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기판을 준비하는 단계와;이원(binary) 조성의 나노와이어를 상기 기판에 성장시키는 단계와;상기 기판 상에 성장시킨 나노와이어에 소정 물질을 증착하여, 코어/쉘 구조의 나노와이어를 형성하는 단계와;상기 코어/쉘 구조의 나노와이어를 열처리하여, 상기 쉘을 구성하는 물질의 산화물로 구성되는 튜브 형태의 나노구조를 형성하거나, 상기 쉘을 구성하는 물질과 상기 코어 물질이 상호 확산하여 고용된 삼원(tertiary) 조성의 나노와이어 형태의 나노구조를 형성하거나, 상기 코어를 구성하는 두 원소 중 한 원소와 상기 쉘을 구성하는 물질의 원소가 상호 반응하여, 그 두 원소로 구성되는 나노와이어와 상기 코어를 구성하는 물질의 두 원소 중 나머지 한 원소가 상분리되어 상기 나노와이어 표면에 부분적으로 석출된 결정을 포함하는 나노구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 쉘을 형성하는 물질로서, 상기 코어를 구성하는 물질보다 녹는점이 높고 상기 열처리에 의해 산화물을 형성하는 제1 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 열처리는 상기 코어를 구성하는 물질이 녹는 온도보다 높은 온도에서 수행하고, 이에 따라 상기 코어를 구성하는 물질이 상기 코어/쉘 나노와이어의 끝 부분을 통해 외부로 휘발되어, 상기 제1 물질의 산화물로 이루어지는 상기 튜브 형태의 나노 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 제1 물질로서, Si 또는 Al을 증착하고, 상기 열처리에 의해 비정질의 Si1-xOx 나노튜브 또는 다결정의 Al1-xOx 나노튜브가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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5
청구항 1에 있어서, 상기 쉘을 구성하는 물질로서, 상기 코어를 구성하는 물질과 비교하여 비슷한 융점을 갖고 또 상기 열처리에 따라 산화되지 않는 제2 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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6
청구항 5에 있어서, 상기 열처리는 상기 코어를 구성하는 물질과 상기 제2 물질이 상호 확산하여 고용체를 형성할 수 있는 온도에서 수행하여, 상기 코어를 구성하는 물질과 상기 제2 물질로 구성되는 상기 3원 조성의 나노와이어 형태의 나노구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 코어 물질로서 Sb2Te3를 이용하고, 상기 제2 물질로서 Bi2Te3를 이용하며, 상기 열처리에 의해, Bi-Sb-Te 단결정 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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8
청구항 1에 있어서, 상기 쉘을 구성하는 물질로서 상기 열처리에 따라 산화되지 않으며, 상기 코어를 구성하는 물질의 두 원소 중 한 원소와 온도에 따라 반응하는 제3 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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9
청구항 8에 있어서, 상기 열처리는 상기 제3 물질이 상기 코어를 구성하는 물질의 두 원소 중 한 원소와 반응하는 온도 이상에서 수행하여 상기 코어를 구성하는 물질의 두 원소 중 한 원소와 상기 제3 물질이 상호 반응하도록 함으로써, 그 두 원소로 구성되는 단결정 나노와이어가 형성되고, 상기 코어를 구성하는 물질의 두 원소 중 나머지 한 원소는 상분리되어, 상기 단결정 나노와이어 표면에 결정 형태로 석출되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 코어 물질로서 Sb2Te3를 이용하고, 상기 제3 물질로서 Pt를 이용하며, 상기 열처리에 의해 단결정 PtTe 나노와이어가 형성되고, 그 표면에 Sb가 결정 형태로 석출되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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기판을 준비하는 단계와;단일 조성의 나노와이어를 상기 기판에 성장시키는 단계와;상기 기판 상에 성장시킨 나노와이어에 소정 물질을 증착하여, 코어/쉘 구조의 나노와이어를 형성하는 단계와;상기 코어/쉘 구조의 나노와이어를 열처리하여, 상기 쉘을 구성하는 물질의 산화물로 구성되는 튜브 형태의 나노구조를 형성하거나, 상기 코어를 구성하는 물질과 상기 쉘을 구성하는 물질이 상호 반응하여, 그 두 원소로 구성되는 나노와이어 형태의 나노구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 쉘을 형성하는 물질로서, 상기 코어를 구성하는 물질보다 녹는점이 높고 상기 열처리에 의해 산화물을 형성하는 제1 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 열처리는 상기 코어를 구성하는 물질이 녹는 온도보다 높은 온도에서 수행하고, 이에 따라 상기 코어를 구성하는 물질이 상기 코어/쉘 나노와이어의 끝 부분을 통해 외부로 휘발되어, 상기 제1 물질의 산화물로 이루어지는 상기 튜브 형태의 나노 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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14
청구항 13에 있어서, 상기 제1 물질로서, Si 또는 Al을 증착하고, 상기 열처리에 의해 비정질의 Si1-xOx 나노튜브 또는 다결정의 Al1-xOx 나노튜브가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 11에 있어서, 상기 쉘을 구성하는 물질로서 상기 열처리에 따라 산화되지 않으며, 상기 코어를 구성하는 물질과 온도에 따라 반응하는 제2 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 15에 있어서, 상기 열처리는 상기 제2 물질이 상기 코어를 구성하는 물질과 반응하는 온도 이상에서 수행하여, 상기 코어를 구성하는 물질과 상기 제2 물질이 상호 반응하도록 함으로써, 그 두 원소로 구성되는 단결정 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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청구항 16에 있어서, 상기 코어를 구성하는 물질로서 Te를 이용하고, 상기 제2 물질로서 Pt를 이용하며, 상기 열처리에 의해 단결정 PtTe 나노와이어가 형성되는 것을 특징으로 하는 나노구조 제조 방법
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