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고밀도 플라즈마 에칭에 대한 저항성이 우수한 세라믹 보호 피막 및 그 코팅 방법

  • 기술번호 : KST2015189300
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아노다이징 처리된 알루미늄 소재의 열화 및 입자 오염을 방지할 수 있는 세라믹 보호 피막 및 그 코팅 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 세라믹 보호 피막은 아노다이징 처리된 알루미늄 소재의 표면에 40 ~ 200℃에서 진공 증착으로 형성되는 세라믹 보호 피막으로써, 상기 세라믹 보호 피막은 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 형성되며, 플라즈마 에칭에 의하여 상기 모재가 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01)
출원번호/일자 1020120048374 (2012.05.08)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1322783-0000 (2013.10.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성민 대한민국 경기 광주시
2 오윤석 대한민국 서울 강동구
3 김대민 대한민국 경기 남양주시 호평로 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0365197-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0016195-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0507461-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0711541-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0711538-70
7 등록결정서
Decision to grant
2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0572551-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불소계 공정 가스가 사용되는 플라즈마 에칭 분위기에 노출되며, 아노다이징 처리된 알루미늄으로 이루어진 모재를 마련하는 단계; 및 상기 모재의 표면에 40 ~ 200℃에서 진공 증착으로 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 이루어진 세라믹 보호 피막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 세라믹 보호 피막은 플라즈마 에칭에 의하여 상기 모재가 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미늄 소재는 반도체 소자 또는 디스플레이 제조용 플라즈마 에칭 장치의 내부 부품인 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막의 코팅 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 진공 증착은 전자빔, 스퍼터링 및 CVD 중 어느 하나의 방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막의 코팅 방법
5 5
아노다이징 처리된 알루미늄 소재의 표면에 40 ~ 200℃에서 진공 증착으로 형성되는 세라믹 보호 피막으로써, 상기 세라믹 보호 피막은 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 형성되며, 플라즈마 에칭에 의하여 상기 아노다이징 처리된 알루미늄 소재가 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
6 6
제5항에 있어서,상기 알루미늄 소재는 반도체 소자 또는 디스플레이 제조용 플라즈마 에칭 장치의 내부 부품인 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 진공 증착은 전자빔, 스퍼터링 및 CVD 중 어느 하나로 실시되는 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막
9 9
플라즈마에 노출되는 밀폐 공간을 제공하며, 알루미늄 소재로 이루어진 내벽이 아노다이징 처리되고, 상기 아노다이징 처리된 내벽의 전 표면에 코팅된 세라믹 보호 피막을 구비하며, 상기 세라믹 보호 피막은 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 형성되며, 플라즈마 에칭에 의하여 상기 아노다이징 처리된 내벽이 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
10 10
제9항에 있어서,상기 챔버는 플라즈마 에칭 장치용 챔버인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서,상기 세라믹 보호 피막이 코팅된 플라즈마 챔버는 세라믹 보호 피막이 코팅되지 않은 플라즈마 챔버 대비 2배 이상의 식각 저항성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국세라믹기술원 소재원천기술개발사업 계면제어 기술에 의한 고밀도 플라즈마 환경용 및 고온 열화학반응용 소재 기술