1 |
1
불소계 공정 가스가 사용되는 플라즈마 에칭 분위기에 노출되며, 아노다이징 처리된 알루미늄으로 이루어진 모재를 마련하는 단계; 및 상기 모재의 표면에 40 ~ 200℃에서 진공 증착으로 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 이루어진 세라믹 보호 피막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 세라믹 보호 피막은 플라즈마 에칭에 의하여 상기 모재가 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 알루미늄 소재는 반도체 소자 또는 디스플레이 제조용 플라즈마 에칭 장치의 내부 부품인 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막의 코팅 방법
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 진공 증착은 전자빔, 스퍼터링 및 CVD 중 어느 하나의 방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막의 코팅 방법
|
5 |
5
아노다이징 처리된 알루미늄 소재의 표면에 40 ~ 200℃에서 진공 증착으로 형성되는 세라믹 보호 피막으로써, 상기 세라믹 보호 피막은 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 형성되며, 플라즈마 에칭에 의하여 상기 아노다이징 처리된 알루미늄 소재가 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
|
6 |
6
제5항에 있어서,상기 알루미늄 소재는 반도체 소자 또는 디스플레이 제조용 플라즈마 에칭 장치의 내부 부품인 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막
|
7 |
7
삭제
|
8 |
8
제5항에 있어서,상기 진공 증착은 전자빔, 스퍼터링 및 CVD 중 어느 하나로 실시되는 것을 특징으로 하는 세라믹 보호 피막
|
9 |
9
플라즈마에 노출되는 밀폐 공간을 제공하며, 알루미늄 소재로 이루어진 내벽이 아노다이징 처리되고, 상기 아노다이징 처리된 내벽의 전 표면에 코팅된 세라믹 보호 피막을 구비하며, 상기 세라믹 보호 피막은 MgF2, YF3, AlF3 및 CaF2를 포함하는 불소계 화합물 중 1종 이상으로 형성되며, 플라즈마 에칭에 의하여 상기 아노다이징 처리된 내벽이 열화되는 것을 방지하고, 단위면적 부피당 85% 이상의 충진율로 형성되고, 상기 세라믹 보호 피막은 0
|
10 |
10
제9항에 있어서,상기 챔버는 플라즈마 에칭 장치용 챔버인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버
|
11 |
11
삭제
|
12 |
12
제9항에 있어서,상기 세라믹 보호 피막이 코팅된 플라즈마 챔버는 세라믹 보호 피막이 코팅되지 않은 플라즈마 챔버 대비 2배 이상의 식각 저항성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버
|