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태양전지용 광전변환막의 제조방법에 있어서,Cu 소스 분말, In 소스 분말, Ga 소스 분말 및 Se 소스 분말로부터 조성식 CuIn1-xGaxSe2(이하, "CIGS")에 따라 평량한 원료분말을 밀봉용기에 장입하고 기계화학적 방법으로 밀링하여 CIGS 분말을 합성하는 단계와;상기 합성된 CIGS 분말을 제1챔버 내에서 에어로졸화하고 상기 에어로졸화된 CIGS 분말을 상기 제1챔버로부터 제2챔버 내에 위치한 기판상으로 분사하여 CIGS 후막을 형성하는 단계와;상기 형성된 CIGS 후막을 Se 분위기에서 열처리하여 반도성화함으로써 CIGS 광전변환막을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도성화 단계에서의 열처리는 추가적으로 환원분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도성화 단계에서의 열처리는 추가적으로 N2, H2 및 Ar 중 하나 이상의 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반도성화 단계에서의 열처리는 300~550℃ 범위의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 반도성화 단계에서의 열처리는 10시간 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 밀봉용기에는 디에틸아민(diethylamine), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 톨루엔(toluene), 크실렌(xylene), 아세톤(acetone) 및 에틸렌디아민(ethylendiamine) 중에서 선택된 하나 이상의 솔벤트가 더 장입되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 솔벤트의 량은 상기 원료분말의 량 대비 1~50wt%인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 밀링에는 쉐이커 밀(shaker mill), 유성밀(planetary mill) 및 어트리션밀(attrition mill) 중의 하나 이상이 사용되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 밀봉용기에는 He, Ar 및 N2 중에서 선택된 하나 이상의 불활성 기체가 더 장입되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 합성된 CIGS 분말은 0
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제1항에 있어서,상기 분사는 산소가스(H2), 질소가스(N2), 압축공기, 헬륨가스(He) 및 아르곤가스(Ar)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 가스로 되는 이송가스를 상기 제1챔버 내로 공급하고 상기 제1챔버 및 제2챔버 간의 압력차에 의해 상기 에어로졸화된 CIGS 분말이 상기 이송가스와 함께 분사되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 이송가스의 유량은 500~8000sccm 범위인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1챔버는 0
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제1항에 있어서,상기 CIGS 광전변환막을 형성하는 단계는 형성된 상기 CIGS 후막의 두께를 증가시키기 위해 반복되어 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Cu원의 조성은 Cu, CuSe, Cu2Se 및 Cu(NO3)2·3H2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 In원의 조성은 In, InCl3, InN, In2Se3 및 In(NO3)2·xH2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Ga원의 조성은 Ga, GaN 및 Ga(NO3)2·xH2O 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 Se원의 조성은 Se 및 SeCl4 중의 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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