맞춤기술찾기

이전대상기술

방전 플라즈마 소결법을 이용한 고밀도 탄화붕소 소결체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189371
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 탄화붕소 분말을 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 구비되는 몰드에 충진하고 압력을 가하여 원하는 형태의 성형체로 성형하는 단계와, 펌프를 작동시켜 챔버 내에 존재하는 불순물 가스를 배기하고, 환원제 가스인 수소(H2) 가스를 공급하는 단계와, 상기 탄화붕소 분말을 가압하면서 직류펄스를 인가하는 단계와, 상기 챔버의 온도를 탄화붕소 분말의 표면에 존재하는 붕소산화물(B2O3)이 휘발되는 온도보다 높은 온도로 1차 상승시키는 단계와, 상기 챔버의 온도를 붕소산화물이 휘발되는 온도보다 높고 탄화붕소의 용융 온도보다 낮은 소결 온도로 2차 상승시키는 단계와, 상기 소결 온도에서 탄화붕소 분말의 성형체에 압력을 가하면서 환원 가스 분위기인 수소(H2) 가스 분위기에서 탄화붕소를 방전 플라즈마 소결하는 단계 및 챔버를 냉각하여 탄화붕소 소결체를 얻는 단계를 포함하는 방전 플라즈마 소결법을 이용한 고밀도 탄화붕소 소결체의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C04B 35/64 (2006.01) C04B 35/563 (2006.01)
CPC C04B 35/62675(2013.01) C04B 35/62675(2013.01) C04B 35/62675(2013.01) C04B 35/62675(2013.01) C04B 35/62675(2013.01)
출원번호/일자 1020100027182 (2010.03.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1166721-0000 (2012.07.12)
공개번호/일자 10-2011-0107965 (2011.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.26)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 채재홍 대한민국 인천광역시 남구
2 박주석 대한민국 경기도 광명시
3 김경훈 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 안종필 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0192816-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090140-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0733607-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0099669-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0099755-46
7 등록결정서
Decision to grant
2012.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0237846-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 탄화붕소 분말을 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 구비되는 몰드에 충진하고 압력을 가하여 원하는 형태의 성형체로 성형하는 단계;(b) 펌프를 작동시켜 챔버 내에 존재하는 불순물 가스를 배기하고, 환원제 가스인 수소(H2) 가스를 공급하는 단계; (c) 상기 탄화붕소 분말을 1축으로 가압하면서 가압 방향과 평행한 방향으로 직류펄스를 인가하는 단계;(d) 상기 챔버의 온도를 탄화붕소 분말의 표면에 존재하는 붕소산화물(B2O3)이 휘발되는 온도 보다 높은 온도인 1400~1600℃로 1차 상승시키는 단계; (e) 상기 챔버의 온도를 붕소산화물이 휘발되는 온도보다 높고 탄화붕소의 용융 온도보다 낮은 1800~2100℃의 소결 온도로 2차 상승시키는 단계; (f) 상기 소결 온도에서 탄화붕소 분말의 성형체에 압력을 가하면서 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 붕소산화물(B2O3)이 휘발되는 온도는 1200~1400℃인 것을 특징으로 하는 방전 플라즈마 소결법을 이용한 고밀도 탄화붕소 소결체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 소결은 소결체의 미세구조 및 입자 크기를 고려하여 5분~3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 방전 플라즈마 소결법을 이용한 고밀도 탄화붕소 소결체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 직류펄스는 0
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.