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은 나노 로드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189394
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 은 나노 로드의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적을 분사하여, 유기 은의 액적이 분사된 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하고, 소성 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 은 나노 로드의 제조 방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 보다 정확한 막대 형상을 가지고, 은 나노 로드의 제조 공정이 보다 간단해지며, 은 나노 로드의 표면적이 극대화되어 은 나노 로드의 촉매성이 증가되는 장점이 있다.
Int. CL B01J 2/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01) B22F 9/24(2013.01)
출원번호/일자 1020100104390 (2010.10.26)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1202016-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2012-0043212 (2012.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정봉용 대한민국 인천광역시 연수구
2 장정호 대한민국 경기도 광명시 가림일로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 반중혁 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 (서초동)(에이치앤에이치(H&H)국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0691204-63
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0705463-44
3 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0568646-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은 나노 로드의 제조 방법에 있어서,알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계;상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계; 및상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물은,알루미늄을 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 한 후 건조시키는 단계;상기 건조된 알루미늄을 백금망(Pt mesh)과 함께 각각 양극과 음극에 연결하고, 과염소산(HClO4)와 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 20V의 정전압을 인가하는 단계;상기 20V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계;상기 40V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 크롬산, 인산 및 초순수(Deionized water)가 혼합된 용액에 침지하는 단계; 및 상기 침지하였던 알루미늄을 상기 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물인 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 유기 은(organic silver)의 액적은 유기 은에 에탄올(ethanol)을 용매로 하여 생성된 용액의 액적인 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계는,19um 크기의 오리피스(orifice)를 갖는 압전 노즐(piezoelectric nozzle)이 장착된 프린팅 기기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계에서,상기 유기 은 액적은 1
7 7
제1항에 있어서,상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계는,150 내지 200°C 온도에서, 20분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는,크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계는,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.