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질화알루미늄 나노분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189397
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도 기전력이 인가되는 유도코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계와, 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계와, 베마이트(AlO(OH)) 분말을 상기 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계와, 암모니아(NH3)를 포함하는 반응가스를 상기 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 베마이트(AlO(OH))와 반응가스인 암모니아(NH3)는 열분해되고 알루미늄(Al) 성분과 질소(N) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 질화알루미늄 나노분말이 합성되는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 질화알루미늄 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계를 포함하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 입도가 균일하고 구형인 고순도의 질화알루미늄(AlN) 나노분말을 제조할 수 있다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) C01B 21/072 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 21/0724(2013.01) C01B 21/0724(2013.01) C01B 21/0724(2013.01) C01B 21/0724(2013.01)
출원번호/일자 1020120018818 (2012.02.24)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1409160-0000 (2014.06.12)
공개번호/일자 10-2013-0097288 (2013.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황광택 대한민국 서울 강동구
2 김진호 대한민국 서울 강동구
3 고상민 대한민국 경상남도 산청군
4 조우석 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0150974-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.07.31 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0068945-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0664207-27
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1075062-21
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1174194-94
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0074993-45
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0189032-68
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0038048-84
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0288502-60
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0288539-48
13 등록결정서
Decision to grant
2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0392571-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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열 플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계; 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도 기전력이 인가되는 유도코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계; 베마이트(AlO(OH)) 분말을 상기 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계; 암모니아(NH3)를 포함하는 반응가스를 상기 플라즈마 토치에서 상기 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 베마이트(AlO(OH))와 반응가스인 암모니아(NH3)는 열분해되고 알루미늄(Al) 성분과 질소(N) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 질화알루미늄 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 질화알루미늄 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 및 급냉된 질화알루미늄 나노분말이 상기 반응관 하단부, 상기 사이클론 하단부 또는 상기 포집 하단부에서 포집되는 단계를 포함하며,상기 베마이트(AlO(OH)) 분말의 공급 유량은 1∼200g/min 범위로 일정하게 유지되고,상기 플라즈마가 형성된 영역에서 베마이트(AlO(OH))와 함께 열분해되어 질화알루미늄을 형성하는 질소 소스로 작용하고 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하는 역할을 하는 상기 반응가스는 암모니아(NH3)와 질소(N2)가 부피비로 1:9∼99:1로 혼합된 혼합가스를 사용하고, 상기 반응가스의 공급 유량은 5∼500slpm 범위로 일정하게 유지하며,상기 급냉가스는 암모니아(NH3)가스를 사용하고, 상기 급냉가스의 공급 유량은 1∼1000slpm 범위로 일정하게 유지하며,상기 급냉가스에 의해 상기 질화알루미늄 나노분말이 냉각될 때 상기 반응관은 100∼500℃의 온도로 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베마이트(AlO(OH)) 분말이 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 베마이트(AlO(OH)) 분말과 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 아르곤(Ar) 가스로 이루어지고, 상기 분산가스의 공급 유량은 1∼100slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고주파 파워 서플라이로부터 인가되는 유도기전력은 5∼100kW인 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반응관 내의 압력이 질화알루미늄 나노분말이 생성되는 동안에 3∼15psi 범위로 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 플라즈마 소스 가스는 아르곤(Ar) 가스를 사용하고 상기 플라즈마 소스 가스의 공급 유량은 5∼50slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 나노분말의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.