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플라즈마 스퍼터링을 이용한 은 나노 와이어의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189398
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라즈마 스퍼터링을 이용한 은 나노 와이어의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 알루미늄 양극 산화물에 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)을 수행한 후, 알루미늄 양극 산화물을 열처리하여, 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 은 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 보다 균일한 크기의 은 나노 와이어를 제조할 수 있고, 또한, 은 나노 와이어의 제조 조건에 영향을 최소로 받는 장점이 있다.그리고 보다 작은 크기를 가지는 은 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 따라서 은 나노 와이어가 이용될 수 있는 분야가 제한되지 않는 장점이 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C25D 11/04 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020100127783 (2010.12.14)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1202017-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2012-0066434 (2012.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20121116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정봉용 대한민국 인천광역시 연수구
2 임재훈 대한민국 서울특별시 금천구
3 장정호 대한민국 경기도 광명시 가림일로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 반중혁 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 (서초동)(에이치앤에이치(H&H)국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0824110-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0088623-90
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0464129-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
은 나노 와이어(Ag nano-wire)의 제조 방법에 있어서,알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)에 은을 스퍼터 타겟(sputter target)으로 하여 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)을 수행하는 단계;상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계; 및상기 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 알루미늄 양극 산화물은,알루미늄의 유기 물질을 제거한 후, 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 하고, 초순수(DeIonize water)로 세정한 후 건조시키는 단계;상기 건조된 알루미늄을 0
4 4
제1항에 있어서,상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행하는 단계는 20mA의 전류를 인가한 상태에서 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계는, 500 내지 600 ℃에서 1 내지 6시간의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는,크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계는,상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.