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전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015189403
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 텅스텐과 전이금속 원소가 코-도핑된 이산화바나듐 입자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 수용액 상에서 바나듐염 및 텅스텐 화합물과 특정의 전이금속 화합물을 혼합하고 중탄산염을 첨가하여 전이금속이 코-도핑된 바나듐 화합물을 생성시킨 후에, 일정한 분위기 하에서 열분해와 같은 공정을 통해 상전이 효과가 있는 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따라 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐 제조방법에 의하면, 전이온도가 가열시 39.5도 이하에서 흡열 피크를 가지며, 전이원소 화합물 2종이 코-도핑된 안정된 이산화바나듐 입자를 간단한 공정을 통하여 제조가 가능하다. 또한, 본 발명의 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐 분말은 코팅 용액에 분산 후 스마트 윈도우용 필름으로 적용이 가능하며, 적외선의 투과 및 반사를 온도에 따라 선택적으로 조절할 수 있어, 건축물 및 차량 유리에 적용하여 우수한 에너지 절감 효과를 나타내는 장점이 있다.
Int. CL C01G 31/02 (2006.01)
CPC C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01) C01G 31/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130110687 (2013.09.13)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1538616-0000 (2015.07.14)
공개번호/일자 10-2015-0031129 (2015.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유중환 대한민국 서울 양천구
2 조초원 대한민국 서울 동대문구
3 신지혜 대한민국 대구 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0841915-40
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0022083-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0658053-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1033919-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1033920-52
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0210381-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0415431-08
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0415430-52
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0382668-94
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번호 청구항
1 1
0
2 2
제1항에 있어서, 상기 바나듐염은 바나듐펜톡사이드(V2O5), 바나딜설페이트, 바나딜클로라이드, 바나딜 아세틸아세토네이트, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 화합물은 텅스텐산, 텅스텐산 암모늄, 텅스텐산나트륨, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 전이금속 화합물은 몰리브덴산암모늄, 몰리브덴산나트륨, 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 몰리브덴 화합물; 산화주석, 이산화주석 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 주석 화합물; 또는 수산화크롬 및 그의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 크롬 화합물;인 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 중탄산염은 탄산수소칼륨, 탄산소암모늄, 및 탄산수소나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전이금속이 코-도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 바나듐염, 텅스텐 화합물, 및 전이금속 화합물은 바나듐 원소와 텅스텐 원소, 전이금속 원소의 총합을 기준으로 텅스텐 원소와 전이금속 원소의 함량비가 0
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 열분해 단계는 비활성 가스 분위기 하에서 500 ℃ 내지 900 ℃의 온도 범위에서 수행하는 전이금속 도핑된 이산화바나듐의 제조 방법
10 10
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11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (주) 대하맨텍 건물효율 향상을 위한 저온 열전이 적외선 차단 코팅제 개발 지식경제기술혁신사업(에너지.자원융합원천기술개발사업-단기핵심)