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박막 실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189437
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 실리콘 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 태양전지의 제조에 있어서 실리콘의 소모량을 절감하기 위한 박막 실리콘 태양전지의 제조방법을 제공하는 것이다. 이를 위해 본 발명은 단결정 실리콘에 상기 단결정 실리콘과 평행한 방향으로 이격되어 적어도 하나 이상의 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계와, 단결정 실리콘 상부 및 트렌치의 내부를 따라 증착된 제 1보호층 증착단계와, 제 1보호층을 보호하기 위해 1보호층의 하부 영역을 제외한 내외부 측벽을 따라 제 2보호층을 증착하는 제 2보호층 증착단계와, 제 l보호층의 하부영역을 제거하는 제 1보호층 하부 제거단계와, 제 1보호층 하부의 횡 방향으로 채널을 형성하는 채널 형성단계와, 채널에 따라 언더커트를 하여 단결정 실리콘과 분리된 실리콘 스트립에 불순물을 주입하는 불순물 주입단계와, 실리콘 스트립 상부에 적어도 하나 이상의 마이크로 렌즈를 형성하는 마이크로 렌즈 형성단계를 포함하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법을 개시한다. 태양전지, 실리콘, 박막, 단결정, 스트립
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020090013952 (2009.02.19)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1025301-0000 (2011.03.21)
공개번호/일자 10-2010-0094798 (2010.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대한민국 경기도 이천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0103924-13
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410357-58
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0434378-68
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045318-93
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0476469-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0863629-98
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0863631-80
9 등록결정서
Decision to grant
2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151381-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 실리콘에 상기 단결정 실리콘과 평행한 방향으로 이격되어 적어도 하나 이상의 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계; 상기 단결정 실리콘 상부 및 상기 트렌치의 내부를 따라 증착된 제 1보호층 증착단계; 상기 제 1보호층을 보호하기 위해 상기 1보호층의 하부 영역을 제외한 내외부 측벽을 따라 제 2보호층을 증착하는 제 2보호층 증착단계; 상기 제 l보호층의 하부영역을 제거하는 제 1보호층 하부 제거단계; 상기 제 1보호층 하부의 횡 방향으로 채널을 형성하는 채널 형성단계; 상기 채널에 따라 언더커트를 하여 상기 단결정 실리콘과 분리된 실리콘 스트립에 불순물을 주입하는 불순물 주입단계; 및, 상기 실리콘 스트립 상부에 적어도 하나 이상의 마이크로 렌즈를 형성하는 마이크로 렌즈 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1보호층 하부 제거단계에서는 상기 트렌치의 하부 가로 폭과 동일하게 상기 제 1보호층 하부의 가로 폭을 제거하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 주입단계에서는 상기 실리콘 스트립의 중앙부분에 불순물을 주입하여 n형 실리콘 층을 상기 실리콘 스트립의 중앙부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 불순물 주입단계에서는 상기 실리콘 스트립의 일측에 불순물을 주입하여 n형 실리콘 층을 상기 실리콘 스트립의 일측에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
5 5
제 3 항 또는 제4항에 있어서, 상기 불순물 주입단계에서는 상기 실리콘 스트립에 불순물을 주입한 후 상기 실리콘 스트립 상부에 p형 전극과 n형 전극을 서로 각각 번갈아가며 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 p형 전극은 상기 실리콘 스트립의 상부 측면에 형성되어 태양광 입사시에 상기 p형 전극에 의한 태양광 가림 현상을 줄일 수 있는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈 형성단계에서는 상기 언더커트로 분리된 각각의 상기 실리콘 스트립을 연결하기 위해 상기 실리콘 스트립의 사이에 연결전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.