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(a) 황산을 포함하는 산 용액에 흑연 분말을 첨가하여 교반하는 단계;(b) 상기 흑연 분말이 첨가된 혼합물에 온도의 갑작스런 상승을 억제하면서 과망간산칼륨(KMNO4) 및 염소산칼륨(KClO4) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 첨가하여 반응시키는 단계;(c) 반응된 결과물을 증류수에 붇고 과산화수소(H2O2)를 주입하여 교반하는 단계;(d) 목표하는 크기의 체(sieve)로 여과하는 단계; (e) 여과된 결과물을 세정하여 산화그라핀을 얻는 단계;(f) 아연염과 금속염이 용해된 용액에 상기 산화그라핀과 산(acid)을 첨가하여 전구체 용액을 형성하는 단계; 및(g) 액적-화학기상증착 장치를 이용하여 상기 전구체 용액을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 황산을 포함하는 산 용액은 인산(H3PO4), 질산(HNO3) 및 염산(HCl) 중에서 선택된 1종 이상의 산(acid)을 더 포함하며, 상기 인산(H3PO4), 질산(HNO3) 및 염산(HCl) 중에서 선택된 1종 이상의 산(acid)과 상기 황산은 1:1∼15의 부피비로 상기 산 용액에 함유된 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 과망간산칼륨(KMNO4) 및 염소산칼륨(KClO4) 중에서 선택된 1종 이상의 물질은 상기 흑연 분말 100중량부에 대하여 300∼1000중량부 첨가하고, 상기 반응은 35∼80℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (f) 단계에서 첨가하는 산(acid)은 염산(HCl)이고, 상기 염산(HCl)의 몰농도는 0
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제1항에 있어서, 상기 아연염과 금속염이 용해된 용액은 상기 아연염 100중량부에 대하여 금속염 0
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제1항에 있어서, 상기 아연염은 아연질산염, 아연염화물, 아연황산염 및 아연 아세테이트 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속염은 염화물, 황산염, 질산염 및 금속 아세테이트 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 아세테이트는 알루미늄(Al) 아세테이트, 갈륨(Ga) 아세테이트, 망간(Mn) 아세테이트, 마그네슘(Mg) 아세테이트 및 카드뮴(Cd) 아세테이트 중에서 선택된 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (f) 단계에서,상기 산화그라핀은 상기 아연염과 상기 금속염의 전체 함량 100중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 (e) 단계에서 얻어지는 상기 산화그라핀은 4∼6
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제1항에 있어서, 상기 여과된 결과물을 세정하여 산화그라핀을 얻는 단계는,여과된 결과물을 증류수에 분산시켜 세정한 후, 원심분리로 침전물을 분리하는 단계; 분리해낸 침전물을 염산(HCl)으로 세정하는 단계;염산(HC)으로 세정된 결과물을 에탄올에 분산시켜 세정하고, 원심분리로 침전물을 얻는 단계; 및얻어진 상기 침전물을 증류수를 이용하여 pH가 4∼6
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제1항에 있어서, 상기 증착은 300∼800℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 도핑 산화아연-산화그라핀 복합체 박막의 제조방법
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