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직접탄화법을 이용한 고순도 탄화규소 분말의 합성방법 및 이에 의하여 제조된 고순도 탄화규소 분말

  • 기술번호 : KST2015189450
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직접탄화법(direct carbonization)을 이용한 고순도 및 고결정성의 탄화규소 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따르면 종래 직접탄화법으로 탄화규소 분말 제조시 문제가 되었던 미반응 실리콘의 양을 줄여 보다 고순도의 탄화규소 분말의 제조가 가능하고, 고결정성 및 우수한 반응성을 갖는 베타상의 탄화규소 분말의 제조가 가능하다. 또한, 제조되는 탄화규소 분말의 입자 크기를 조절할 수 있어 다양한 분야에서 활용이 가능하다.
Int. CL C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01)
CPC C04B 35/64(2013.01)
출원번호/일자 1020130063427 (2013.06.03)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1538021-0000 (2015.07.14)
공개번호/일자 10-2014-0141978 (2014.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20150722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 서울 서대문구
2 김수룡 대한민국 서울 관악구
3 권우택 대한민국 서울 강남구
4 이윤주 대한민국 서울 종로구
5 정은진 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0492010-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008296-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0543879-63
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0954380-75
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1048988-96
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-1183723-93
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0016992-96
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0008516-37
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0061874-51
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0061879-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
14 등록결정서
Decision to grant
2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0426698-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 분말과 카본 블랙 분말을 혼합한 후, 1350-1800 ℃에서 1차 열처리하여 탄화규소 분말을 수득하는 단계;(b) 상기 수득된 탄화규소 분말을 밀링한 후, 탄화규소 분말 대비 10-30 중량%의 카본 블랙 분말을 더 첨가하여 1350-1800 ℃에서 2차 열처리하는 단계;(c) 상기 (b) 단계 이후 1800-2000 ℃에서 3차 열처리하는 단계; 및(d) 상기 3차 열처리 후, 600-1000 ℃에서 탈탄 공정을 수행하는 단계;를 포함하고,상기 3차 열처리 시간을 1-14 시간 범위에서 조절하여 탄화규소 분말의 입자 크기를 조절하는 것을 특징으로 하고,상기 3차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 또는 진공 분위기에서 3-5 회 사이클 열처리(thermo cycle)인 것을 특징으로 하며,상기 사이클 열처리는 1800-1850 ℃와 1950-2000 ℃에서 각각 승온, 강온을 반복하면서, 각각의 온도에서 10분 - 1시간 동안 유지하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 분말의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계 이전에 실리콘 분말을 분쇄하여 상기 실리콘 분말의 크기를 0
3 3
제1항에 있어서,상기 카본 블랙 분말의 크기는 0
4 4
제1항에 있어서,상기 1차 열처리 및 2차 열처리는 헬륨, 네온, 아르곤 또는 진공 분위기에서 20 ℃/분의 승온 속도로 1350-1800 ℃까지 승온하여 2-3 시간 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 분말의 제조방법
5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국세라믹기술원 산업기술국제협력 Beta SiC 분말을 이용한 단결정 성장 기술 개발