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탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간 제조방법에 있어서,a)공업용 탄산망간을 Air 분위기하에 300~400℃의 온도로 1~10시간 유지시킨 후 자연 냉각하여 이산화망간을 생성하는 단계;b)상기 a)단계에서 생성된 이산화망간을 어트리션 밀(attrition mill) 분쇄기에서 이산화망간을 증류수 및 마찰 분쇄용의 다수의 세라믹 볼(zirconia ball)과 혼합하여 상기 이산화망간을 분말상으로 분쇄하고, 상기 세라믹 볼을 제거한 분쇄물을 건조하여 분말상의 순수 이산화망간을 제작하는 단계;c)교반기를 이용하여 상기 분쇄된 이산화망간과 불순물 제거용액(황산, 질산, 염산)을 혼합하여 교반기 내부에서 일정한 온도로 혼합하는 단계;d)상기 c)단계의 혼합물을 일정한 온도의 증류수를 이용하여 여과액의 pH가 6
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제 1항에 있어서, 상기 a)단계의 과정에서 공업용 탄산망간은 5℃/min으로 점차 승온시키는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 과정에서 마찰 분쇄용 세라믹 볼은 그 크기가 2Φ, 3Φ, 10Φ로 서로 다른 크기의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 b)단계의 과정에서 2Φ, 3Φ, 10Φ의 크기를 갖는 세라믹 볼(zirconia ball)은 그 비율이, 2Φ: 3Φ: 10Φ = 2
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 과정에서 이산화망간 종자를 어트리션 밀(attrition mill) 분쇄기에서 12시간 동안 500rpm으로 분쇄하는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 과정에서 이산화망간 분쇄물을 오븐에서 80℃의 온도로 건조하는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 b)단계의 과정에서 이산화망간 20~30wt%, 마찰 분쇄용의 다수의 세라믹 볼(zirconia ball) 62wt%, 증류수 8~18wt% 혼합하여 분쇄하는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 c)단계의 과정에서 이산화망간과 불순물 제거용액의 혼합 비율은 분쇄된 이산화망간 18~24wt%, 불순물 제거용액 76~82wt%로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항 또는 제 8항에 있어서, c)단계의 과정에서 분쇄된 이산화망간과 함께 혼합되는 불순물 제거용액은, 황산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항 또는 제 8항에 있어서, c)단계의 과정에서 분쇄된 이산화망간과 함께 혼합되는 불순물 제거용액은, 질산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항 또는 제 8항에 있어서, c)단계의 과정에서 분쇄된 이산화망간과 함께 혼합되는 불순물 제거용액은, 염산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 c)단계의 과정에서 분쇄된 이산화망간과 불순물 제거용액을 혼합하는 교반기 내부의 온도는 95℃로 이루어지며, 상기 교반기에서 30분간 혼합하는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 d)단계의 과정에서 c)단계의 혼합물을 증류수로 수세 작업시, 상기 증류수의 온도는 75~85℃로 이루어지며, 여과액의 pH가 6
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제 1항에 있어서, 상기 d)단계의 과정에서 상기 수세된 순수 이산화망간은 여과기를 통하여 0
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제 1항에 있어서, 상기 e)단계의 과정에서 여과된 이산화망간의 오븐 건조는, 150~170℃의 온도로 20~30시간 건조되는 것을 특징으로 하는 탄산망간의 열 및 산처리를 이용한 이차전지 양극재용 나노 이산화망간(CMD) 제조방법
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