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하부 금속-절연체-상부 금속 구조를 포함하는 MIM 커패시터(Metal - Insulator - Metal Capacitor)의 제조 방법에 있어서,상기 절연체(Insulator)는,스몰 파우더(small powder)와 상기 스몰 파우더보다 더 큰 평균 입경을 갖는 라지 파우더(large powder)를 포함하는 고유전성 세라믹 파우더, 고분자 수지 및 용매를 포함하는 세라믹-고분자 조성물을 마련하는 단계;상기 세라믹-고분자 조성물을 상기 하부 금속 위에 도포하여 세라믹-고분자 막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 세라믹-고분자 막 내의 고분자 수지를 경화시키는 단계를 포함하여, 무소결(non-sintering) 방식으로 형성되고,상기 고유전성 세라믹 파우더는 상기 스몰 파우더 20 ~ 30 vol
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하부 금속-절연체-상부 금속 구조를 포함하는 MIM 커패시터의 제조 방법에 있어서,상기 절연체는,스몰 파우더와 상기 스몰 파우더보다 더 큰 평균 입경을 갖는 라지 파우더를 포함하는 고유전성 세라믹 파우더 및 용매를 포함하는 세라믹 조성물을 마련하는 단계;고분자 수지 및 용매를 포함하는 고분자 조성물을 마련하는 단계; 상기 세라믹 조성물을 하부 금속 위에 도포하여 세라믹 막을 형성하는 단계; 상기 형성된 세라믹 막 상에 상기 고분자 조성물을 도포하고, 상기 고분자 조성물을 상기 세라믹 내로 침투(penetrating)시켜 세라믹-고분자 막을 형성하는 단계; 및상기 세라믹-고분자 막 내의 고분자 수지를 경화시키는 단계를 포함하여, 무소결 방식으로 형성되고,상기 고유전성 세라믹 파우더는 상기 스몰 파우더 20 ~ 30 vol
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제1항에 있어서, 상기 세라믹-고분자 조성물은 잉크젯 인쇄법(ink jet printing)으로 도포되는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 세라믹 조성물 또는 상기 고분자 조성물은 잉크젯 인쇄법으로 도포되는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 라지 파우더의 평균 입경은 490~510 nm이고, 상기 스몰 파우더의 평균 입경은 25 ~ 35 nm 인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고유전성 세라믹 파우더는 BaTiO3 인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 수지의 함량은 상기 고유전성 세라믹 파우더 100 중량부에 대하여, 10 ~ 150 중량부인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자 수지는 열경화형 수지 또는 광경화형 수지인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 세라믹-고분자 조성물은 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 옥틸알콜 및 아크릴계 고분자 중에서 하나 이상을 포함하는 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 분산제는 상기 세라믹-고분자 조성물 100 중량부에 대하여, 5중량부 이하의 함량비로 첨가되는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 세라믹 조성물 또는 고분자 조성물은 비이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 음이온 계면활성제, 옥틸알콜 및 아크릴계 고분자 중에서 하나 이상을 포함하는 분산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터 제조 방법
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하부 금속-절연체-상부 금속 구조를 포함하는 MIM 커패시터로서, 상기 절연체는, 고분자 수지가 함침된 고유전성 세라믹 파우더로 형성되되, 상기 고유전성 세라믹 파우더는 스몰 파우더와 상기 스몰 파우더보다 더 큰 평균 입경을 갖는 라지 파우더를 포함하되, 상기 스몰 파우더 20 ~ 30 vol
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제17항에 있어서, 상기 고유전성 세라믹 파우더는 BaTiO3 인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터
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제17항에 있어서,상기 라지 파우더의 평균 입경은 490~510 nm이고, 상기 스몰 파우더의 평균 입경은 25 ~ 35 nm 인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터
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제17항에 있어서, 상기 고분자 수지는 상기 고유전성 세라믹 파우더 100 중량부에 대하여, 10 ~ 150 중량부의 함량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터
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제17항에 있어서, 상기 고분자 수지는 열경화형 수지 또는 광경화형 수지인 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터
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제17항에 있어서, 상기 하부 금속 및 상부 금속은 은(Ag)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 무소결 MIM 커패시터
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