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태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189470
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것으로 특히, 태양전지 제조 과정에서 발생하는 플라즈마 손상을 회복시키고 태양전지의 실리콘 기판과 층간 계면의 불완전한 결함을 제거하여 태양전지의 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01) H01L 31/1868(2013.01)
출원번호/일자 1020080106104 (2008.10.28)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1101371-0000 (2011.12.26)
공개번호/일자 10-2009-0110211 (2009.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080035761   |   2008.04.17
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장효식 대한민국 경기 이천시
2 최균 대한민국 경기도 이천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0749289-67
2 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2008.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0126564-11
3 [반려이유통지에 따른 소명]의견(답변, 소명)서
[Substantiation according to Notice of Reason for Return] Written Opinion (Written Response, Written Substantiation)		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0814949-07
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410356-13
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0434378-68
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0025019-88
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0230644-40
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0495976-38
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0560554-99
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0630890-90
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0630889-43
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0570727-16
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0102655-16
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0182389-29
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0182390-76
17 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0551535-02
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판과 상부 전극과 반사 방지막 및 하부 전극을 포함하는 태양전지를 제조하는 태양전지 제조방법에 있어서, 상기 태양전지 제조방법은 상기 태양전지를 150 내지 500도의 열처리 온도와 10% 내지 100%의 수소 또는 중수소의 열처리 분위기에서 열처리하는 패시베이션 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 패시베이션 공정은 1atm 내지 40atm의 열처리 기압에서 실시되며, 상기 패시베이션 공정은 상부 전극 형성 공정, 하부 전극 형성 공정 중에서 어느 하나의 공정 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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삭제
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실리콘 기판과 상부 전극과 반사 방지막 및 하부 전극을 포함하는 태양전지를 제조하는 태양전지 제조방법에 있어서, 상기 태양전지 제조방법은 상기 태양전지를 150 내지 500도의 열처리 온도와 10% 내지 100%의 수소 또는 중수소의 열처리 분위기에서 열처리하는 패시베이션 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 패시베이션 공정은 1atm 내지 40atm의 열처리 기압에서 실시되며, 상기 태양전지는 하부 전극과 실리콘 기판 및 상기 상부 전극이 순차적으로 형성되고 상기 반사 방지막은 실리콘 기판의 상부에서 상기 상부 전극이 형성되지 않은 영역에 형성되며, 상기 실리콘 기판은 p형의 기판으로 이루어지며, 상기 실리콘 기판의 상부가 n형의 이미터층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 태양전지는 상기 실리콘 기판과 상기 반사 방지막 사이에 형성되는 절연막과 실리콘 기판과 하부 전극 사이에 형성되는 후면표면전계(BSF)층을 더 포함하며, 상기 패시베이션 공정은 절연막 형성 공정, 후면표면전계층 형성 공정 및 하부 전극 형성 공정 중에서 어느 하나의 공정 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.