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전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법
- 기술번호 : KST2015189480
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 코팅막에 관한 것으로, 이온건을 이용한 플레이팅법 또는 스퍼터링법으로 타겟 입자를 분리하여 플라즈마 이온을 포함하는 증착 챔버 내로 분사하는 제 1 단계 및 상기 증착 챔버 내로 전이금속 이온을 아크이온 플레이팅법으로 주입하는 제 2 단계를 수행하되, 상기 제 1 단계 및 제 2 단계를 동시 수행, 교차 수행 및 순차 수행 중 어느 하나의 방법으로 수행하여, 피코팅물에 상기 타겟 입자, 플라즈마 이온 및 상기 전이금속 이온으로 이루어진 코팅막을 제조하되, 상기 코팅막은 고강도 및 고경도의 3차원 복합 구조를가지는 코팅막이 되도록 하는 발명에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | C23C 14/22 (2006.01) C23C 14/48 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01) |
| CPC | C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) C23C 14/22(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100016423 (2010.02.23) |
| 출원인 | 한국세라믹기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0096896 (2011.08.31) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 거절 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.02.23) |
| 심사청구항수 | 1 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국세라믹기술원 | 대한민국 | 경상남도 진주시 소호로 *** |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오윤석 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
| 2 | 김경자 | 대한민국 | 경기도 군포시 광정로 ***, 대림아파트 |
| 3 | 곽길호 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
| 4 | 양영환 | 대한민국 | 서울특별시 강서구 |
| 5 | 이성민 | 대한민국 | 경기도 광주시 |
| 6 | 김성원 | 대한민국 | 서울특별시 강동구 |
| 7 | 김형태 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인(유한) 대아 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0119136-95 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.03.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0021178-70 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0036748-63 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0220869-59 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0308438-25 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0308439-71 |
| 8 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.07.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0383223-55 |
| 9 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2012.08.01 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0036436-72 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0710670-86 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.09.03 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0710683-79 |
| 12 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.09.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0539330-02 |
| 13 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2012.10.15 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0047790-77 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000353-25 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5040685-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 이온건을 이용한 플레이팅법 또는 스퍼터링법으로 타겟 입자를 분리하여 플라즈마 이온을 포함하는 증착 챔버 내로 분사하는 제 1 단계; 및상기 증착 챔버 내로 전이금속 이온을 아크이온 플레이팅법으로 주입하는 제 2 단계;를 수행하되,상기 제 1 단계 및 제 2 단계를 동시 수행, 교차 수행 및 순차 수행 중 어느 하나의 방법으로 수행하여, 피코팅물에 상기 타겟 입자, 플라즈마 이온 및 상기 전이금속 이온으로 이루어진 코팅막을 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이온이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 타겟은 실리콘 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 이온은 질소(N2) 가스로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 이온은 질소(N2)와 아르곤(Ar)의 혼합 가스로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 전이금속은 4b ~ 6b족 원소를 이용하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 전이금속은 Ti를 이용하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서,상기 전이금속은 Ti, V, Cr, Zr, Nb 및 Mo 중 하나 이상을 이용하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 타겟 입자 및 플라즈마 이온에 대한 상기 전이금속 이온의 분율(x)은 0003c#x≤0 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서,상기 코팅막은 1 ~ 30㎛의 두께로 형성 하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 코팅막은 3차원 나노구조 및 층상구조가 결합된 복합 구조인 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 피코팅물은 상기 증착 챔버 내에서 회전시키면서 코팅막이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 방법으로 제조되어 3차원 나노구조 및 층상구조가 결합된 복합 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 |
| 13 |
13 이온건을 이용한 플레이팅법 또는 스퍼터링법으로 실리콘(Si) 타겟 입자를 분리하여 질소(N2) 가스로부터 형성되는 플라즈마 이온을 포함하는 증착 챔버 내로 분사하는 제 1 단계; 및상기 증착 챔버 내로 티타늄(Ti) 이온을 아크이온 플레이팅법으로 주입하는 제 2 단계;를 수행하되,상기 제 1 단계 및 제 2 단계를 동시 수행, 교차 수행 및 순차 수행 중 어느 하나의 방법으로 수행하여, 피코팅물에 상기 Ti-Si-N 상으로 이루어진 코팅막을 제조하는 것을 특징으로 하는 전이금속 이온이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 플라즈마 이온은 질소(N2)와 아르곤(Ar)의 혼합 가스로부터 형성되는 플라즈마 이온을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 4b ~ 6b족 원소인 전이금속 이온을 더 주입하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 코팅막 제조 방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 전이금속은 Ti, V, Cr, Zr, Nb 및 Mo 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 17 |
17 제 13 항에 있어서,상기 Si-N에 대한 상기 Ti 이온의 분율(x)은 0003c#x≤0 |
| 18 |
18 제 13 항에 있어서,상기 코팅막은 1 ~ 30㎛의 두께로 형성 하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 19 |
19 제 13 항에 있어서,상기 코팅막은 3차원 나노구조 및 층상구조가 결합된 복합 구조인 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 20 |
20 제 13 항에 있어서,상기 피코팅물은 상기 증착 챔버 내에서 회전시키면서 코팅막이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 전이금속이 도핑된 나노구조 질화규소계 코팅막 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 한국세라믹기술원 | 한국세라믹기술원 | 기관고유사업(정책연구사업) | 저마찰 나노복합상 코팅기술개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0119136-95 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.03.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0021178-70 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.01.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0036748-63 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0220869-59 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0308438-25 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0308439-71 |
| 8 | 거절결정서 | 2012.07.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0383223-55 |
| 9 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.08.01 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0036436-72 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.09.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0710670-86 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2012.09.03 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0710683-79 |
| 12 | 거절결정서 | 2012.09.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0539330-02 |
| 13 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.10.15 | 수리 (Accepted) | 7-1-2012-0047790-77 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0000353-25 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5040685-78 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415111920 |
|---|---|
| 세부과제번호 | kicet2010 |
| 연구과제명 | 한국세라믹기술원 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 한국세라믹기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 201001~201012 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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