| 요약 |
본 발명은 투명전도성산화막 (Transparent conducting oxide : TCO)으로 사용되는 고밀도, 고전도성 산화인듐-산화아연-산화주석(In2O3-ZnO-SnO2) 타겟 제조에 관한 것이다. 본 발명의 스퍼티링 타겟은 산화인듐(In2O3), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2)을 주성분으로 하여, 산화주석에 P, As, Nb, Ta 등의 5가원소를, 산화아연 에 B, Al, Ga, Sb, Y 등의 3가원소를 도핑한 조성물을 혼합하는 것을 특징으로 한다. 산화주석 과 산화아연에 0.25 내지 4 중량퍼센트로 5가와 3가원소를 각각 도핑하며, In2O3-ZnO-SnO2 타겟 조성물은 산화인듐 50 내지 80, 산화아연 10내지 35, 산화주석 5 내지 20 중량퍼센트를 포함하는 것을 특징으로 한다. 타겟은 조성물을 혼합, 분쇄, 과립화, 성형 공정을 거쳐 상기 성형물을 산소분위기 중 1450~1550 oC에서 소결을 후, 수소 분위기 중 600oC에서 환원하여 제조하였다. 본 발명에 의하면 In2O3 저감에 의해 제조 비용의 저감이 가능하며 도핑을 통해 고전도성 타겟 제조에 효과가 있다. 투명전도성 산화물, 타켓 조성물
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