| 1 |
1
소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와;상기 몰드의 표면에 수산화기를 도입하는 단계와;상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 처리방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 화학식 1에서 상기 R2는 에폭시기를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 처리방법
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 수산화기 도입 후에,상기 몰드 표면에 아미노기를 도입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 아미노기의 도입은,상기 몰드에NH2를 말단기로 가지는 실란을 가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 실란은 아미노프로필트리클로로실란(NH2(CH2)3SiCl3) 아미노프로필트리클로로실란(aminopropyltrichlorosilane), N-(3-(트리메톡시실릴)프로필)에틸렌디아민(N-(3-(Trimethoxysilyl)propyl)ethylenediamine), 4-아미노부틸트리에톡시실란(4-aminobutyltriethoxysilane), (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란((aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilanetriol), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란( N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노메틸트리메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminomethyltrimethoxysilane), N-(6-아미노헥실)아미노프로필메톡시실란(N-(6-aminohexyl)aminopropyltrimethoxysilane), N-(2-아미노에틸)-11-아미노운데실트리메톡시실란(N-(2-aminoethyl)-11-aminoundecyltrimethoxysilane), 3-(m-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란)(3-(m-aminophenoxy)propyltrimethoxysilane), m-아미노페닐트리메톡시실란(m-aminophenyltrimethoxysilane), p-아미노페닐트리메톡시실란(p-aminophenyltrimethoxysilane), N-3-[아미노(폴리프로필렌옥시)]아미노프로필트리메톡시실란(N-3-[amino(polypropylenoxy)]aminopropyltrimethoxysilane), 11-아미노운데실트리에톡시실란(11-aminoundecyltriethoxysilane), 3-아미노프로필메톡시실란(NH2(CH2)3Si(OCH3)3, 3-aminopropyltrimethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란( NH2(CH2)3Si(OC2H5)3 , 3-aminopropyltriethoxysilane)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법
|
| 6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 수산화기의 도입은,상기 몰드를 산소 플라즈마 처리하거나, 상기 몰드를 UVO(UV with oxygen)처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 몰드의 재질은 폴리우레탄계 고분자 또는 아크릴계 고분자를 포함하며,상기 아크릴계 고분자는 펜타에리스리톨 프로폭실레이트 트리아크릴레이트(Pentaerythritol propoxylate triacrylate), 비스페놀 A 프로폭실레이트 다이아크릴레이트(Bisphenol A propoxylate diacrylate), 트리메틸롤프로판 에톡실레이트 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate)로 이루어진 군 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드처리방법
|
