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암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관

  • 기술번호 : KST2015189559
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 p 전도성 타입 층 및 상기 p 전도성 타입 층의 외부에 형성되는 n+ 전도성 타입 층으로 구성되는 PN-접합층을 포함하는 다수의 마이크로 픽셀, 상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극, 및 상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태로 형성되며 p 타입의 실리콘 웨이퍼로 된 기판을 포함하되, 상기 기판은 1011~1016㎝-3의 도핑 농도를 갖는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명에서 제안하고 있는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관에 따르면, 저농도의 p 전도성 타입 실리콘 기판을 이용하고 그 위에 PN-접합층을 형성함으로써, 고농도(저저항) 기판에 의해 생성되는 암전류의 비율 및 기판과 에피택시층의 경계면에서 발생하는 강한 전기장에 의해 생성되는 암전류의 비율을 감소시킬 수 있어서, 종래의 실리콘 광전자 증배관에 비해 암전류를 획기적으로 줄일 수 있다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1020100028868 (2010.03.30)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1091205-0000 (2011.12.01)
공개번호/일자 10-2011-0109230 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20111209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박일흥 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이직 대한민국 서울특별시 강동구
3 남지우 대한민국 서울특별시 종로구
4 이혜영 대한민국 충청북도 청원군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김건우 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이동 ***호 특허그룹덕원 (가산동, 우림 라이온스밸리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0203810-54
2 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219988-80
3 보정요구서
Request for Amendment		 2010.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0030758-57
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0707653-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045588-37
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0275735-29
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0393510-52
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702301-23
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번호 청구항
1 1
암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관으로서,p 전도성 타입 층 및 상기 p 전도성 타입 층의 외부에 형성되는 n+ 전도성 타입 층으로 구성되는 PN-접합층을 포함하는 다수의 마이크로 픽셀;상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극; 및 상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태로 형성되며 p 타입의 실리콘 웨이퍼로 된 기판을 포함하되,상기 기판은 1011~1016㎝-3의 도핑 농도를 가지며,상기 마이크로 픽셀은,상기 기판 위에 1011~1016㎝-3의 농도를 갖는 p- 전도성 타입의 에피택시층; 및상기 에피택시층 내에 형성되며 상기 PN-접합층이 형성되는 수직구조 트렌치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 트렌치 전극은,말단을 둥글게 형성한 것을 특징으로 하는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관
4 4
제3항에 있어서, 상기 트렌치 전극은,브롬화수소(HBr)를 사용하여 말단을 둥글게 형성하는 것을 특징으로 하는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관
5 5
제1항에 있어서,상기 실리콘 광전자 증배관 내의 모든 마이크로 픽셀을 포함하는 영역 내에 가드링을 형성하는 것을 특징으로 하는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관
6 6
제5항에 있어서, 상기 가드링은,상기 실리콘 광전자 증배관의 최외각 마이크로 픽셀로부터 100㎛ 이내에 형성되며, 상기 가드링의 수는 2 내지 3개인 것을 특징으로 하는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101108716 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2011122856 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2011122856 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 MEMS 우주망원경 연구단 창의적 연구진흥 지원연구 MEMS 기반 차세대 우주망원경 개발을 통한 극한에너지 우주현상 연구