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하기 화학식 1로 표시되는 나프탈이미드 아민 유도체:[화학식 1](상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 직쇄 또는 측쇄의 C1-10알킬이고;R4는 직쇄 또는 측쇄의 C1-20알킬이다)
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제1항에 있어서,R1, R2 및 R3는 직쇄 또는 측쇄의 C1-6알킬이고;R4는 직쇄 또는 측쇄의 C1-10알킬인 것을 특징으로 하는 나프탈이미드 아민 유도체
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제1항에 있어서,상기 나프탈이미드 아민 유도체는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 나프탈이미드 아민 유도체
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하기 반응식 1에 나타낸 바와 같이,화학식 2로 표시되는 화합물을 화학식 3으로 표시되는 화합물과 이미드화 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조한 화학식 4로 표시되는 화합물을 수소화 반응시켜 화학식 5로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조한 화학식 5로 표시되는 화합물을 화학식 6으로 표시되는 화합물과 아마이드화 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 나프탈이미드 아민 유도체의 제조방법:[반응식 1](상기 반응식 1에서, R1, R2, R3 및 R4는 제1항의 화학식 1에서 정의한 바와 같고, X는 할로겐이다)
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5
제1항의 화학식 1로 표시되는 나프탈이미드 아민 유도체를 포함하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물
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제5항에 있어서,상기 조성물은 디메틸설폭사이드, 디옥산 및 디클로로메탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물
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7
제5항에 있어서,상기 조성물은 불소 음이온, 시아나이드 음이온 및 인산 음이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물
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8
제5항에 있어서,상기 조성물은 졸 또는 겔 상태에서 이산화탄소를 검출하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물
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9
제5항에 있어서,상기 조성물은 졸(sol)상태에서 이산화탄소 검출 후 겔(gel) 상태로 변화하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물
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10
제1항의 화학식 1로 표시되는 나프탈이미드 아민 유도체를 포함하는 졸-겔 시스템의 이산화탄소 검출용 센서
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제1항의 화학식 1로 표시되는 나프탈이미드 아민 유도체를 용매에 첨가하여 혼합용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 혼합용액을 가열 및 냉각하여 겔 상태 용액으로 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2의 겔 상태 용액에 음이온을 첨가하여 졸 상태의 용액으로 제조하는 단계(단계 3);를 포함하는 제5항의 이산화탄소 검출용 센서 조성물의 제조방법
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12
제11항에 있어서,상기 용매는 디메틸설폭사이드, 디옥산 및 디클로로메탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물의 제조방법
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13
제11항에 있어서,상기 음이온은 불소 음이온, 시아나이드 음이온 및 인산 음이온으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이산화탄소 검출용 센서 조성물의 제조방법
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14
졸 상태의 제1항의 화학식 1로 표시되는 나프탈이미드 아민 유도체를 포함하는 센서 조성물에 이산화탄소를 포함하는 시료를 노출시키는 단계(단계 1);상기 단계 1의 노출을 통해 나프탈이미드 아민 유도체와 시료 내의 이산화탄소가 반응하여 음이온성의 카바모에이트를 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 형성된 카바모에이트에 의해 겔 상태로 변화하는 것을 감지하는 단계(단계 3);를 포함하는 이산화탄소를 검출하는 방법
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15
제14항에 있어서,상기 변화는 비색 또는 형광 변화를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화탄소의 존재를 정성 또는 정량적으로 측정하는 이산화탄소를 검출하는 방법
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