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(a) 자기조립 이중블록 공중합체를 용매에 용해시켜 역마이셀 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 역마이셀 용액을 고체 기판 상에 코팅하여 자기조립 이중블록 공중합체 역마이셀 박막을 제조하는 단계;(c) 상기 역마이셀 박막을 무극성 용매 또는 산성 용액에 침지함으로써 상기 역마이셀 박막의 재구성(reconstruction)을 유도하는 단계; 및(d) 상기 재구성된 역마이셀 박막에 시트레이트(citrate) 리간드에 의하여 안정화된 금 나노입자를 흡착시키는 단계를 포함하는, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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(a) 자기조립 이중블록 공중합체를 용매에 용해시켜 역마이셀 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 역마이셀 용액을 고체 기판 상에 코팅하여 자기조립 이중블록 공중합체 역마이셀 박막을 제조하는 단계; 및(c') 상기 역마이셀 박막을 무극성 용매 또는 산성 용액에 침지함으로써 상기 역마이셀 박막의 재구성을 유도함과 동시에 시트레이트 리간드에 의하여 안정화된 금 나노입자를 흡착시키는 단계를 포함하는, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립 이중블록 공중합체는 양친성 이중블록 공중합체를 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 양친성 이중블록 공중합체는 폴리스티렌-블록-폴리(4-비닐피리딘)(PS-b-P4VP), 폴리스티렌-블록-폴리(2-비닐피리딘)(PS-b-P2VP), 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌 옥사이드)(PS-b-PEO), 폴리스티렌-블록-폴리(아크릴릭 애시드)(PS-b-PAA), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 용매는 상기 자기조립 이중블록 공중합체의 어느 한쪽 블록만을 선택적으로 용해시키는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름, 테트라하이드로푸란(THF), 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 역마이셀 용액이 상기 자기조립 이중블록 공중합체를 0
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 고체 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 역마이셀 박막의 재구성은 상기 자기조립 이중블록 공중합체의 어느 한쪽 블록만을 선택적으로 용해시키는 용매에 침지함으로써 유도되는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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10
제 9 항에 있어서, 상기 용매는 알코올, 물, 산성 용액, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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11
제 9 항에 있어서, 상기 침지 시간은 10 분 내지 24 시간인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금 나노입자는 음전하를 띄는 분자에 의하여 개질된 금 나노입자를 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항의 방법에 따라 제조되고, 국부적 표면 플라즈몬 공명 결합 현상을 나타내는 금 나노입자 패턴을 포함하는, 나노 구조체
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제 13 항에 따른 나노 구조체를 포함하는, 센서
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