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금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015189693
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 21/27 (2006.01) G01N 21/55 (2014.01)
CPC G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01) G01N 21/553(2013.01)
출원번호/일자 1020120115008 (2012.10.16)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0049196 (2014.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.16)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 대한민국 서울 마포구
2 정경화 대한민국 경기 부천시 오정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0841174-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0082793-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0735545-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1184047-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-1184046-24
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0271780-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 자기조립 이중블록 공중합체를 용매에 용해시켜 역마이셀 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 역마이셀 용액을 프리즘을 포함하는 금속 기판 상에 코팅하여 자기조립 이중블록 공중합체 역마이셀 박막을 제조하는 단계;(c) 상기 역마이셀 박막의 재구성(reconstruction)을 유도하는 단계; 및(d) 상기 재구성된 역마이셀 박막에 시트레이트(citrate) 리간드에 의하여 안정화된 금 나노입자를 흡착시켜 금 나노입자 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
2 2
(a) 자기조립 이중블록 공중합체를 용매에 용해시켜 역마이셀 용액을 제조하는 단계;(b) 상기 역마이셀 용액을 프리즘을 포함하는 금속 기판 상에 코팅하여 자기조립 이중블록 공중합체 역마이셀 박막을 제조하는 단계; 및(c') 상기 역마이셀 박막의 재구성을 유도함과 동시에 시트레이트 리간드에 의하여 안정화된 금 나노입자를 흡착시켜 금 나노입자 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 자기조립 이중블록 공중합체는 양친성 이중블록 공중합체를 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 양친성 이중블록 공중합체는 폴리스티렌-블록-폴리(4-비닐피리딘)(PS-b-P4VP), 폴리스티렌-블록-폴리(2-비닐피리딘)(PS-b-P2VP), 폴리스티렌-블록-폴리(에틸렌 옥사이드)(PS-b-PEO), 폴리스티렌-블록-폴리(아크릴릭 애시드)(PS-b-PAA), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 용매는 상기 자기조립 이중블록 공중합체의 어느 한쪽 블록만을 선택적으로 용해시키는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 용매는 클로로포름, 테트라하이드로푸란(THF), 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 역마이셀 용액이 상기 자기조립 이중블록 공중합체를 0
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 기판은 실리콘 웨이퍼, 또는 금속 박막을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 역마이셀 박막의 재구성은 상기 자기조립 이중블록 공중합체의 어느 한쪽 블록만을 선택적으로 용해시키는 용매에 침지함으로써 유도되는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 용매는 알코올, 물, 산성 용액, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 침지 시간은 10 분 내지 36 시간인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
12 12
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금 나노입자는 음전하를 띄는 분자에 의하여 개질된 금 나노입자를 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 기판은 금 박막을 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
14 14
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 프리즘을 포함하는 금속 기판은 투명기판을 추가 포함하는 것인, 금 나노입자 패턴을 포함하는 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항의 방법에 따라 제조되고, 특이한 국부적 표면 플라즈몬 공명 결합 현상을 나타내는 금 나노입자 패턴을 포함하는, 고감도 표면 플라즈몬 공명 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.