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탐침 증강 라만 분광 시스템에 있어서,피측정물이 배치되는 스캐닝 기판;상기 피측정물 안으로 소멸파를 생성하게 하는 광원과 광경로조정부;상기 피측정물에 근접하여 배치되며 금속 첨단을 구비한 탐침; 및상기 피측정물의 상면 또는 상기 스캐닝 기판의 상면에 분산되어 배치되는 하나 이상의 금속 나노 입자;를 포함하는 라만 분광 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 탐침에서 방사되는 전자기장을 집중시키는 금속 입자인 라만 분광 시스템
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제 2 항에 있어서,상기 금속 나노 입자 또는 상기 금속 첨단은 금, 은, 팔라듐 중 선택된 어느 하나의 재질을 포함하는 라만 분광 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 크기가 5nm 이상 10 nm 이하인 라만 분광 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 정육면체, 정팔면체, 십이면체, 정이십면체 중 선택된 어느 하나인 라만 분광 시스템
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탐침 증강 라만 분광 시스템에 있어서,피측정물에 근접하여 배치되며 금속 첨단을 구비한 탐침;상기 피측정물 안으로 소멸장을 생성하게 하는 광원과 광경로조정부; 및상기 피측정물 상에서 상기 탐침에서 방사되는 전자기장을 증강시키는 위치에 배치되며 금속 첨단을 구비한 보조 탐침을 포함하는 라만 분광 시스템
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제 7 항에 있어서,상기 탐침의 상기 금속 첨단 및 상기 보조 탐침의 상기 금속 첨단은 금, 은, 팔라듐 중 선택된 어느 하나의 재질을 포함하는 라만 분광 시스템
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탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경에 있어서,피측정물이 배치되는 스캐닝 기판;상기 피측정물 안으로 소멸장을 생성하게 하는 광원과 광경로조정부;금속 첨단을 구비하고 상기 피측정물을 스캐닝하는 탐침;상기 피측정물의 상면 또는 상기 스캐닝 기판 상면에 분산되어 상기 탐침에서 방사되는 전자기장을 증강하는 금속 나노 입자;상기 피측정물로부터 산란되는 신호를 수집하는 집광부; 및상기 수집된 신호의 라만 스펙트럼을 검출하는 검출부;를 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경
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탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경에 있어서,금속 첨단을 구비하고 피측정물을 스캐닝하는 탐침;상기 피측정물 안으로 소멸장을 생성하게 하는 광원과 광경로조정부;상기 피측정물 상에서 상기 탐침에서 방사되는 전자기장을 증강시키는 위치에 배치되며 금속 첨단을 구비한 보조 탐침;상기 피측정물로부터 방사되는 신호를 수집하는 집광부; 및상기 수집된 신호의 라만 스펙트럼을 검출하는 검출부;를 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경
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제 12 항에 있어서,상기 보조 탐침의 상기 탐침과의 거리, 위치 또는 상기 피측정물과의 상대적 위치를 조정하는 보조 탐침 제어부를 더 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경
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제 9 항의 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법에 있어서,a) 상기 광원을 구동하여 상기 피측정물 안으로 소멸장을 생성하게 하는 단계;b) 상기 a) 단계에서 소멸장이 생성된 상기 피측정물에 상기 탐침을 근접시켜 상기 탐침과 상기 금속 나노 입자 사이에 전자기장을 집중시키는 단계;c) 상기 b)단계에서 집중된 전자기장으로 상기 피측정물을 스캐닝하는 단계;d) 상기 c)단계에서 상기 전자기장에 의해 상기 피측정물로부터 방출되는 신호를 수집하는 단계;e) 상기 d)단계에서 수집된 신호의 라만 스펙트럼을 검출단계; 및f) 상기 라만 스펙트럼을 분석하는 단계를 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법
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제 17 항에 있어서,상기 탐침과 상기 금속 나노 입자의 상대적인 위치를 바꾸고 상기 a)단계 내지 상기 f)단계를 수행하여 라만 선택률을 산출하는 단계를 추가로 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법
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제 12 항의 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법에 있어서,a) 상기 광원을 구동하여 상기 피측정물 안으로 소멸장을 생성하게 하는 단계;b) 상기 a) 단계에서 소멸장이 생성된 상기 피측정물에 상기 탐침을 근접시키고 상기 보조 탐침의 상기 탐침과의 거리, 위치 및 상기 피측정물과의 상대적 위치를 조정하여 전자기장을 집중시키는 단계;c) 상기 b)단계에서 집중된 전자기장으로 상기 피측정물을 스캐닝하는 단계;d) 상기 c)단계에서 상기 전자기장에 의해 상기 피측정물로부터 방출되는 신호를 수집하는 단계;e) 상기 d)단계에서 수집된 신호의 라만 스펙트럼을 검출단계; 및f) 상기 라만 스펙트럼을 분석하는 단계를 포함하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법
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제 19 항에 있어서,상기 탐침과 상기 보조 탐침의 상대적인 위치를 바꾸고 상기 a)단계 내지 상기 f)단계를 수행하여 라만 선택률을 산출하는 탐침 증강 라만 분광을 이용하는 현미경의 측정 방법
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